NEC Electronics Inc UPA810TF, UPA810TC, UPA810T-T1, UPA810T Datasheet

Loading...

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

μPA810TC

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC5006)

FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

DESCRIPTION

The μPA810TC has built-in low-voltage two transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

Low noise: NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

High gain: |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold

Built-in 2 transistors (2 × 2SC5006)

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

Quantity

Supplying Form

 

 

 

 

 

μPA810TC

Flat-lead 6-pin

Loose products

Embossed tape 8 mm wide.

 

thin-type ultra

(50 pcs)

Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter) face to

 

super minimold

 

perforation side of the tape.

 

 

 

 

 

μPA810TC-T1

 

 

Taping products

 

 

 

 

(3 kp/reel)

 

 

 

 

 

 

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:

μPA810TC. Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

20

V

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

12

V

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

3

V

 

 

 

 

Collector Current

IC

100

mA

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PTNote

200 in 1 element

mW

 

 

230 in 2 elements

 

 

 

 

 

Junction Temperature

Tj

150

˚C

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

–65 to +150

˚C

 

 

 

 

Note Mounted on 1.08 cm2 × 1.0 mm glass epoxy substrate.

Caution Electro-static sensitive devices

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information.

Document No. P14550EJ1V0DS00 (1st edition)

 

 

Date Published

November 1999 N CP(K)

 

 

Printed in Japan

©

 

1999

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA810TC

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

Symbol

 

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 10 V, IE = 0

1.0

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

1.0

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 3 V, IC = 7 mANote 1

70

140

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product

fT

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

3.0

4.5

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feedback Capacitance

Cre

VCB = 3

V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

0.7

1.5

 

pF

 

 

Insertion Power Gain

|S21e|2

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

7.0

9.0

 

dB

 

 

Noise Figure

NF

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

1.2

2.5

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: PW 350 μs, Duty Cycle 2 %

2. Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

 

 

Marking

75

 

 

hFE Value

70 to 140

 

 

2

Data Sheet P14550EJ1V0DS00

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

230

2 Elements in total

Free Air

 

 

 

 

200

Per

 

 

PT

 

 

 

 

Element

 

 

Dissipation

 

 

 

100

 

 

 

Total Power

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

0

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 160 μ A

 

IC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 140 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 120 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 100 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 60 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 80

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 40

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

4

5

 

 

 

6

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(GHz)fT

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.00

 

f = 1 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Product

4.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Bandwidth

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current

IC (mA)

 

 

 

 

 

 

μPA810TC

COLLECTOR CURRENT vs. BASE TO

EMITTER VOLTAGE

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC (mA)

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CurrentCollector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

Base to Emitter Voltage VBE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC CURRENT GAIN vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT

 

 

 

 

1 000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current

 

IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

INSERTION POWER GAIN vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT

 

 

 

 

 

14.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.00

 

f = 1 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S21e

10.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

8.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power

6.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion

4.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current

 

IC (mA)

 

 

 

 

Data Sheet P14550EJ1V0DS00

3

NEC Electronics Inc UPA810TF, UPA810TC, UPA810T-T1, UPA810T Datasheet

μPA810TC

Noise Figure NF (dB)

Feedback Capacitance Cre (pF)

NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT

6.00

VCE = 3 V

f = 1 GHz

5.00

4.00

3.00

2.00

1.00

0.00

1

10

100

Collector Current IC (mA)

FEEDBACK CAPACITANCE vs.

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

0.900

f = 1 MHz

0.800

0.700

0.600

0.500

0.400

0.300

0.200

0.100

0.000

1

10

100

Collector to Base Voltage VCB (V)

Insertion Power Gain ïS21eï2 (dB)

INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY

25.0

VCE = 3 V IC = 7 mA

20.0

15.0

10.0

5.0

0.0

0.1

1.0

10.0

 

Frequency f (GHz)

 

4

Data Sheet P14550EJ1V0DS00

+ 8 hidden pages