NEC Electronics Inc UPA611TA Datasheet

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

μPA611TA

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR HIGH SPEED SWITCHING

DESCRIPTION

The μPA611TA is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source.

The μPA611TA has excellent switching characteristics, and is suitable for use as a high-speed switching device in digital circuits.

FEATURES

Can be driven by a 2.5-V power source

Low gate cut-off voltage

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

 

 

μPA611TA

SC-74 (Mini Mold)

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage

VDSS

30

V

Gate to Source Voltage

VGSS

±20

V

Drain Current (DC)

ID(DC)

±0.1

A

Drain Current (pulse) Note

ID(pulse)

±0.4

A

Total Power Dissipation

PT

300 (TOTAL)

mW

Channel Temperature

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note PW 10 μs, Duty Cycle 1 %

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

 

+0.1

–0.15

0.32

+0.1

 

 

 

0.65

 

 

 

–0.05

0.16

+0.1

 

 

 

 

 

 

–0.06

2.8±0.2

1.5

 

 

0 to 0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

0.95 0.95

0.8

 

 

 

 

1.9

 

1.1 to 1.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.9 ±0.2

 

 

EQUIVALENT CIRCUIT

(1/2 Circuit)

Drain

 

Internal

Gate

Diode

 

Gate

 

Protection

 

Diode

Source

PIN CONNECTION (Top View)

6 5 4

1. Source 1

2. Source 2

3. Gate 2

4. Drain 2

5. Gate 1

1 2 3 6. Drain 1

Marking : IB

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information.

Document No. D11707EJ1V0DS00 (1st edition) Date Published August 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

© 1999

μPA611TA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

Drain Cut-off Current

IDSS

VDS = 30 V, VGS = 0 V

 

 

1

μA

 

 

 

 

 

 

 

Gate Leakage Current

IGSS

VGS = ±20 V, VDS = 0 V

 

 

±10

μA

 

 

 

 

 

 

 

Gate Cut-off Voltage

VGS(off)

VDS = 3 V, ID = 10 μA

1.0

1.4

1.8

V

 

 

 

 

 

 

 

Forward Transfer Admittance

| yfs |

VDS = 3 V, ID = 10 m A

20

 

 

mS

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source On-state Resistance

RDS(on)1

VGS = 2.5 V, ID = 1 m A

 

8

15

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)2

VGS = 4 V, ID = 10 mA

 

4

8

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)3

VGS = 10 V, ID = 10 mA

 

3

5

Ω

 

 

 

 

 

 

 

Input Capacitance

Ciss

VDS = 3 V

 

9

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

Coss

VGS = 0 V

 

12

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

f = 1 MHz

 

2.1

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on Delay Time

td(on)

VDD = 3 V

 

40

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

Rise Time

tr

ID = 10 mA

 

55

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off Delay Time

td(off)

VGS(on) = 4 V

 

68

 

ns

 

 

RG = 10 Ω, RL = 300 Ω

 

 

 

 

Fall Time

tf

 

64

 

ns

2

Data Sheet D11707EJ1V0DS00

NEC Electronics Inc UPA611TA Datasheet

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

 

100

 

 

 

 

 

- %

80

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Factor

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dT - Derating

40

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

30

60

90

120

150

 

 

TA - Ambient Temperature - ˚C

 

TRANSFER CHARACTERISTICS

 

1

 

 

 

 

 

VDS = 3 V

 

 

 

- A

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

0.01

 

 

 

 

0.001

 

TA = 125˚C

 

 

- Drain

 

 

 

 

 

75˚C

 

 

 

 

25˚C

 

 

0.0001

 

25˚C

 

 

D

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

0.00001

 

 

 

 

0.000001

2.0

3.0

4.0

5.0

 

1.0

VGS - Gate to Sorce Voltage - V

 

 

 

DRAIN TO SOURCE ON-STATE

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

 

 

 

 

 

 

-

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS

= 2.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

state-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

=

75

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

125

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

On

 

 

 

 

 

25

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

to Source

10

 

 

 

 

25

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- Drain

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0001

0.001

0.01

 

 

 

0.1

 

 

 

 

ID - Drain Current - A

μPA611TA

 

 

 

DRAIN CURRENT vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

 

 

mA

400

 

 

 

 

 

 

 

VGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

= 4

V

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

3.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

2

4

6

8

 

10

 

 

 

 

VDS - Drain to Source Voltage - V

 

 

FORWARD TRANSFER ADMMITTANCE Vs.

DRAIN CURRENT

 

1000

 

 

 

 

- mS

VDS = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

Transfer Admittance

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward

10

 

TA = 25˚C

 

 

 

25˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

75˚C

 

 

-

 

 

125˚C

 

 

yfs |

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

 

 

 

ID - Drain Current - A

 

 

 

 

DRAIN TO SOURCE ON-STATE

 

 

Ω

 

 

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

 

 

-

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Resistance

VGS = 4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

state-On

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Source

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA

=

125

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

75

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

to

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0001

0.001

 

0.01

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID - Drain Current - A

Data Sheet D11707EJ1V0DS00

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