NEC Electronics Inc UPA1500BH Datasheet

Loading...

DATA SHEET

COMPOUND FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

μPA1500B

N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY

 

 

 

 

SWITCHING USE

 

 

 

 

 

 

 

 

DESCRIPTION

 

 

 

 

 

 

 

PACKAGE DIMENSIONS

The μPA1500B is N-channel Power MOS FET Array

 

 

 

 

 

(in millimeters)

 

that built in 4 circuits and surge absorber designed for

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

solenoid, motor and lamp driver.

 

 

 

 

 

31.5 MAX.

 

 

 

4.2 MAX.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.5 TYP. 10.5 MAX.

 

 

• 4 V driving is possible

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• Large Current and Low On-state Resistance

1

2

3

4

5 6 7 8

9 10 11 12

 

 

ID(DC) = ±3 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MIN.

 

 

RDS(on)1 0.18 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.0

 

 

RDS(on)2 0.24 Ω MAX. (VGS = 4 V, ID = 2 A)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• Low Input Capacitance Ciss = 200 pF TYP.

 

 

2.54 TYP.

0.7±0.1

1.4±0.1

0.5±0.1

1.4 TYP.

• Surge Absorber, built in

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ORDERING INFORMATION

 

 

 

 

 

 

 

 

ELECTRODE CONNECTION

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1, 5, 8, 12 GATE

 

Type Number

Package

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2, 4, 9, 11 DRAIN, ANODE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6, 7

SOURCE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA1500BH

12 Pin SIP

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3, 10

CATHODE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CONNECTION DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

 

 

 

 

2

 

3

 

4

 

Drain to Source Voltage

VDSS Note 1

60

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D5

 

D6

 

 

Gate to Source Voltage

VGSS Note 2

±20

V

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current (DC)

 

ID(DC)

±3.0

A/unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current (pulse)

 

ID(pulse) Note 3

±12

A/unit

 

 

 

RG

D1

 

RG

D2

 

Repetitive peak Reverse Voltage VRRM Note 4

65

V

 

1

 

 

5

 

 

 

 

Diode Forward Current

IF(av) Note 4

3.0

A/unit

 

 

 

ZD

 

 

 

ZD

 

Total Power Dissipation

PT1 Note 5

28

W

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PT2 Note 6

4.0

W

 

 

 

9

 

10

 

11

 

Channel Temperature

 

TCH

150

˚C

 

 

 

 

D7

 

D8

 

 

Storage Temperature

 

Tstg

–55 to 150

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Single Avalanche Current

IAS Note 7

3.0

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Single Avalanche Energy

EAS Note 7

0.9

mJ

 

8

 

RG

D3

 

RG

D4

 

Notes 1.

VGS = 0

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

ZD

 

 

 

ZD

7

3.

PW 10 μs, Duty Cycle 1 %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4. Rating of Surge Absorber

 

 

 

D1 to D4 : Body Diode

 

 

 

 

5. 4 Circuits, TC = 25 ˚C

 

 

 

D5 to D8 : Surge Absorber

 

 

6.

4 Circuits, TA = 25 ˚C

 

 

 

ZD

 

: Gate to Source Protection Diode

7. Starting TCH = 25 ˚C, V DD = 30 V, VGS = 20 V 0,

 

RG

 

: Gate Input Resistance 330 Ω TYP.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 25 Ω, L = 100 μH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device.

Document No. G10597EJ2V0DS00 (2nd edition)

 

 

Date Published December 1995 P

 

 

Printed in Japan

©

1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA1500B

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CHARACTERISTIC

SYMBOL

 

 

 

TEST CONDITIONS

 

 

 

MIN.

 

TYP.

 

 

 

 

 

 

MAX.

 

 

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Leakage Current

 

 

 

IDSS

 

VDS = 60 V, VGS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate Leakage Current

 

 

 

IGSS

 

VGS = ±20 V, VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±10

 

 

 

 

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate Cutoff Voltage

 

 

 

VGS(off)

 

VDS = 10 V, ID = 1.0 mA

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

2.0

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward Transfer Admittance

 

 

 

| Yfs |

 

VGS = 10 V, ID = 2.0 A

 

 

 

2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source On-State

 

 

 

RDS(on)1

 

VGS = 10 V, ID = 2.0 A

 

 

 

 

 

0.10

 

 

 

0.18

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)2

 

VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A

 

 

 

 

 

0.14

 

 

 

0.24

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input Capacitance

 

 

 

Ciss

 

VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

 

 

 

Coss

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse Transfer Capacitance

 

 

 

Crss

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

55

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on Delay Time

 

 

 

td(on)

 

 

 

 

·

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

ID = 2.0 A, VGS = 10 V, VDD = 30 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

·

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rise Time

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tr

 

RL = 15 Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off Delay Time

 

 

 

td(off)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

735

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Fall Time

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tf

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

350

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total Gate Charge

 

 

 

QG

 

VGS = 10 V, ID = 3.0 A, VDD = 48 V

 

 

 

13

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

nC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to Source Charge

 

 

 

QGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

nC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to Drain Charge

 

 

 

QGD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

nC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Body Diode Forward Voltage

 

 

 

VF(S-D)

 

IF = 3 A, VGS = 0

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SURGE ABSORBER (Diode, builtin) 1 Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Repetitive peak Reverse Current

 

 

 

IRRM

 

VR = 65 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Diode Forward Voltage

 

 

 

VF

 

IF = 3.0 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Test Circuit 1 Avalanche Capability

Test Circuit 2 Switching Time

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DUT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rin = 25 Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

L

 

 

 

 

 

DUT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RL

VGS

VGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90 %

 

 

 

PG

 

 

 

 

 

50 Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 10 %

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS (on)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD

 

 

 

 

 

Rin

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PG.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Wave Form

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 20 V0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rin = 10 Ω

 

 

 

 

 

 

VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BVDSS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID

90 %

ID

 

 

 

 

 

 

90 %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IAS

0

ID

0

10 %

 

 

10 %

 

 

 

 

ID

VDS

Wave Form

 

 

 

 

 

 

 

 

td (on)

tr

td (off)

tf

VDD

t

 

 

t = 1 μs

ton

toff

 

 

Starting TCH

Duty Cycle 1 %

 

Test Circuit 3

Gate Charge

 

 

 

DUT

 

 

IG = 2 mA

RL

 

 

 

PG.

50

Ω

VDD

 

2

NEC Electronics Inc UPA1500BH Datasheet

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

 

6

NEC

 

 

Under same

 

 

 

 

 

μ

 

 

dissipation in

- W

PA1500BH

Laed

 

5

 

each circuit

 

Print

4 Circuits operation

Dissipation

 

 

Circuit

4

 

 

3 Circuits operation

3

 

 

2 Circuits operation

Power

 

 

1 Circuit operation

 

 

 

2

 

 

 

 

- Total

 

 

 

 

1

 

 

 

 

PT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

50

100

150

 

 

TA - Ambient Temperature - ˚C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

ID(Pulse)

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

V)

 

 

 

 

Current

 

 

10

 

PW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

GS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

(V

ID(DC)

 

 

1

 

 

 

Limited

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

10

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

DS(on)

 

 

 

100

50

ms

 

 

 

 

 

ms

 

 

R

 

 

 

 

1

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID -

 

 

 

 

DC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TC = 25 ˚C

 

 

 

 

 

 

0.1 Single Pulse

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

1

10

 

 

100

 

 

 

VDS - Drain to Source Voltage - V

 

FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulsed

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current -

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA

=

125˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

75

˚C

 

 

 

 

ID -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

˚C

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

-

25

˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1

2

3

4

5

 

6

 

 

 

VGS - Gate to Source Voltage - V

 

 

μPA1500B

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

 

30

 

 

Under same

 

 

 

 

W

 

 

 

dissipation in

 

 

 

each circuit

-

 

 

4 Circuits operation

Dissipation

 

 

20

 

3 Circuits operation

 

 

 

 

 

2 Circuits operation

 

 

 

 

Power

 

 

1 Circuit operation

10

 

 

 

PT - Total

 

 

 

 

TC is grease

 

 

 

 

Temperature on back surface

 

 

0

50

100

150

 

 

TC - Case Temperature - ˚C

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

- %

100

 

 

 

 

 

 

 

 

Power

 

 

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

of Rated

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

Percentage

40

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

dT -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

20

40

60

80

100

120

140

160

 

 

 

TC - Case Temperature - ˚C

 

 

 

 

 

DRAIN CURRENT vs.

 

 

 

 

 

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS =

20 V

 

 

 

 

 

Pulsed

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- A

10

 

10 V

 

 

 

V

GS = 4

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

 

4

 

 

 

VDS - Drain to Source Voltage - V

 

 

3

+ 5 hidden pages