MC-4532CD646EF-A10
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©
1998
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4532CD646
32M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE
DATA SHEET
Document No. M13681EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
••
•
shows major revised points.
Description
The MC-4532CD646 is a 33,554,432 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 16 pieces of
128M SDRAM:
µ
PD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• 33,554,432 words by 64 bits organization
• Clock frequency and access time from CLK
Part number /CAS latency Clock frequency
(MAX.)
Access time from CLK
(MAX.)
MC-4532CD646EF-A80 CL = 3 125 MHz 6
ns
CL = 2 100 MHz 6
ns
MC-4532CD646EF-A10 CL = 3 100 MHz 6
ns
CL = 2 77 MHz 7
ns
MC-4532CD646PF-A80 CL = 3 125 MHz 6
ns
CL = 2 100 MHz 6
ns
MC-4532CD646PF-A10 CL = 3 100 MHz 6
ns
CL = 2 77 MHz 7
ns
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
• Pulsed interface
• Possible to assert random column address in every cycle
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)
• Programmable wrap sequence (Sequential
/
Interleave)
• Programmable /CAS latency (2, 3)
• Automatic precharge and controlled precharge
• CBR (Auto) refresh and self refresh
• All DQs have 10
Ω ±10
% of series resistor
• Single 3.3
V ± 0.3
V power supply
• LVTTL compatible
• 4,096 refresh cycles/64
ms
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27
mm)
• Unbuffered type
• Serial PD
★
★
2
MC-4532CD646
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
Ordering Information
Part number Clock frequency
MHz (MAX.)
Package Mounted devices
MC-4532CD646EF-A80 125 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 16 pieces of
µ
PD45128841G5 (Rev. E)
MC-4532CD646EF-A10 100 MHz (Socket Type) (10.16 mm (400) TSOP (II))
MC-4532CD646PF-A80 125 MHz Edge connector : Gold pl ated 16 pieces of
µ
PD45128841G5 (Rev. P)
MC-4532CD646PF-A10 100 MHz 34.93 mm hei ght (10.16 mm (400) TSOP (II))
★
★
3
MC-4532CD646
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory
Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
/CS1
/RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
(A13)
A11
Vcc
CLK1
NC
V
SS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
NC
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1 (A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
DQ46
DQ47
NC
A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]
BA0 (A13), BA1 (A12)
: SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0, CKE1 : Clock Enable Input
/CS0 - /CS3 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
SA0 - SA2 :
Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
V
CC
: Power Supply
V
SS
: Ground
WP : Write Protect
NC : No Connection
/xxx indica tes active low signal.
★
4
MC-4532CD646
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
Block Diagram
DQMB0
/CS0
/WE
DQM
D0
/CS
/WE
D1
DQM
/CS
/WE
D4
/WE
D5
DQM
/CS
/WE
D6
DQM /CS /WE
D7
DQM /CS /WE
D3
DQM
/CS /WE
DQM
D2
/CS /WE
A0 - A11
A0 - A11: D0 - D15
V
CC
D0 - D15
D0 - D15
SERIAL PD
SCL
SDA
A0
A1 A2
SA0
SA1 SA2
DQMB1
DQMB5
DQMB7
DQMB6
DQMB3
D8
/CS
/WE
D9
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D12
/CS
/WE
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D13
/CS
/WE
DQ 2
DQ 0
DQ 1
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D10
/WE
D11
DQM
/CS
/WE
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D14
DQM
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D15
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB2
/CS2 /CS3
/CS1
/CS
DQM
DQM
DQMB4
DQM
/CS
DQM
DQM
DQM
DQM
BA0, BA1
A13, A12: D0 - D15
/RAS
/RAS: D0 - D15
/CAS
/CAS: D0 - D15
CKE0
CKE: D0 - D7
10
kΩ
V
SS
CKE1
CKE: D8-D15
C
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 8
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQ 16
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQ 24
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQ 32
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 40
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 48
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 56
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 4
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
CLK0
3.3 pF
CLK2
3.3 pF
CLK1
3.3 pF
CLK3
3.3 pF
C
LK
: D0, D1, D4, D5
C
LK
: D8, D9, D12, D13
C
LK
: D2, D3, D6, D7
C
LK
: D10, D11, D14, D15
WP
47
kΩ
Remarks 1.
The value of all resistors is 10 Ω except CKE1 and WP.
2.
D0 - D15:
µ
PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)
★
5
MC-4532CD646
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
Electrical Specifications
• All voltages are referenced to V
SS
(GND).
• After power up, wait more than 100
µ
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
CC
–0.5 to +4.6 V
Voltage on input pin relative to GND V
T
–0.5 to +4.6 V
Short circuit output c urrent I
O
50 mA
Power dissipation P
D
16 W
Operating ambient tem perature T
A
0 to +70
°
C
Storage temperature T
stg
–55 to +125
°
C
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
CC
3.0 3.3 3.6 V
High level input voltage V
IH
2.0 V
CC
+
0.3 V
Low level input voltage V
IL
−
0.3 +0.8 V
Operating ambient tem perature T
A
070
°
C
Capacitance (T
A
= 25
°
°°
°
C, f = 1 MHz)
Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
Input capacitance C
I1
A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),
/RAS, /CAS, /WE
58 94 pF
C
I2
CLK0 - CLK3 24 40
C
I3
CKE0, CKE1 32 52
C
I4
/CS0 - /CS3 17 29
C
I5
DQMB0 - DQMB7 10 17
Data input/output capaci t ance C
I/O
DQ0 - DQ63 11 19 pF
Loading...