NEC Electronics Inc UPA821TF-T1, UPA821TF, UPA821TC Datasheet

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DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

μPA821TC

NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC5006)

FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

DESCRIPTION

The μPA821TC has built-in low-voltage two transistors which are designed for low-noise amplification in the VHF to

UHF band.

FEATURES

Low noise: NF= 1.2 dB TYP.@ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

High gain: IS21el2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package

Built-in 2 transistors (2 × 2SC5006)

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

Quantity

Supplying Form

 

 

 

 

μPA821TC

Flat-lead 6-pin

Loose products

Embossed tape 8 mm wide.

 

thin-type ultra

(50 pcs)

Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base) face to perforation

 

super minimold

 

side of the tape.

μPA821TC-T1

Taping products

 

 

 

 

(3 kp/reel)

 

 

 

 

 

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:

μPA821TC. Unit sample quantity is 50 pcs).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

20

V

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

12

V

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

3

V

 

 

 

 

Collector Current

IC

100

mA

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PTNote

200 in 1 element

mW

 

 

230 in 2 elements

 

 

 

 

 

Junction Temperature

Tj

150

°C

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

65 to 150

°C

 

 

 

 

Note Mounted on 1.08 cm2 × 1.0 mm glass epoxy substrate.

Caution Electro-static sensitive devices.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information.

Document No. P14552EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

©

1999

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA821TC

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

Symbol

 

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 10 V, IE = 0

1.0

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

1.0

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 3 V, IC = 7 mANote 1

70

140

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product

fT

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

3.0

4.5

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feedback Capacitance

Cre

VCB = 3

V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

0.7

1.5

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion Power Gain

|S21e|2

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

7.0

9.0

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure

NF

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

1.2

2.5

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: PW 350 μs, Duty Cycle 2 %

2.Capacitance between collector and base measured with a capacitance meter (autobalancing bridge method). Emitter should be connected to the guard pin of capacitance meter.

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

 

 

Marking

81

 

 

hFE Value

70 to 140

 

 

2

Data Sheet P14552EJ1V0DS00

NEC Electronics Inc UPA821TF-T1, UPA821TF, UPA821TC Datasheet

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

230

2 Elements in total

Free Air

 

 

 

 

200

Per

 

 

PT

 

 

 

 

Element

 

 

Dissipation

 

 

 

100

 

 

 

Total Power

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

0

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)IC

 

 

IB = 160

 

μ A

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 140

μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

IB = 120 μ A

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 100

μ A

 

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 80 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

IB = 60

μ

A

 

 

 

 

IB = 40

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20

μ

A

 

0

1

2

3

4

5

6

0

 

Collector to Emitter Voltage

VCE (V)

 

μPA821TC

COLLECTOR CURRENT vs.

DC BASE VOLTAGE

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CurrentCollector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 0.5 1.0

DC Base Voltage VBE (V)

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

1 000

VCE = 3 V

hFE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

10

100

 

0.1

 

 

 

Collector Current

IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Data Sheet P14552EJ1V0DS00

3

 

 

 

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.

 

 

 

COLLECTOR CURRENT

 

7.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(GHz)fT

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.00

 

f = 1 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Product

5.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Bandwidth

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

2.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

100

 

1

 

 

 

 

Collector Current

IC (mA)

 

 

 

NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT

 

6.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.00

 

f = 1 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Figure

3.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise

2.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

100

 

1

 

 

 

 

Collector Current

IC (mA)

FEEDBACK CAPACITANCE vs.

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

f = 1 MHz

Cre (pF)

0.800

0.600

Capacitance

0.400

Feedback

0.200

 

 

0.000

1

10

100

Collector to Base Voltage VCB (V)

μPA821TC

INSERTION POWER GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

 

14.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.00

f = 1 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S21e

10.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

8.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power

6.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion

4.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

10

100

 

 

 

Collector Current

IC (mA)

 

 

INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY

 

25.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = 7 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï2

20.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S21e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

15.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power

10.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion

5.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

10.0

 

0.1

Frequency f (GHz)

4

Data Sheet P14552EJ1V0DS00

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