IS61LV12816 |
ISSI® |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
NOVEMBER 2000
FEATURES
•High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns
•CMOS low power operation
•TTL and CMOS compatible interface levels
•Single 3.3V ± 10% power supply
•Fully static operation: no clock or refresh required
•Three state outputs
•Data control for upper and lower bytes
•Industrial temperature available
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DESCRIPTION
The ISSI IS61LV12816 is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels.
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access.
The IS61LV12816 is packaged in the JEDEC standard 44-pin 400-mil SOJ, 44-pin TSOP, 44-pin LQFP, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).
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128K x 16 |
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Lower Byte |
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COLUMN I/O |
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DATA |
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ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774 |
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Rev. A
11/30/00
IS61LV12816 |
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PIN CONFIGURATIONS |
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44-Pin SOJ (K) |
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44-Pin TSOP (T) |
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I/O13 |
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I/O12 |
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I/O10 |
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I/O9 |
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I/O8 |
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A8 |
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A15 |
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WE |
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A8 |
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A14 |
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A10 |
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A16 |
18 |
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A13 |
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A11 |
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A9 |
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A15 |
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A10 |
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A11 |
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A12 |
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22 |
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NC |
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48-Pin mini BGA (B)
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3 |
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A |
LB |
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A0 |
A1 |
A2 |
N/C |
B |
I/O8 |
UB |
A3 |
A4 |
CE |
I/O0 |
C |
I/O9 |
I/O10 |
A5 |
A6 |
I/O1 |
I/O2 |
D |
GND |
I/O11 |
NC |
A7 |
I/O3 |
Vcc |
E |
Vcc |
I/O12 |
NC |
A16 |
I/O4 |
GND |
F |
I/O14 |
I/O13 |
A14 |
A15 |
I/O5 |
I/O6 |
G |
I/O15 |
NC |
A12 |
A13 |
WE |
I/O7 |
H |
NC |
A8 |
A9 |
A10 |
A11 |
NC |
44-Pin LQFP (LQ)
|
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A16 |
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A15 |
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A14 |
A13 |
A12 A11 A10 |
A9 |
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OE |
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UB |
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LB |
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44 43 |
42 |
41 |
40 39 38 |
37 36 35 |
345 |
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CE |
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1 |
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|
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I/O15 |
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I/O0 |
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2 |
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I/O14 |
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I/O1 |
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I/O13 |
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I/O2 |
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4 |
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I/O12 |
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I/O3 |
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5 |
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TOP VIEW |
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GND |
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Vcc |
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6 |
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28 |
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Vcc |
||||||||||||||
GND |
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7 |
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I/O11 |
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I/O4 |
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8 |
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26 |
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I/O10 |
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I/O5 |
|
9 |
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25 |
|
I/O9 |
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I/O6 |
|
10 |
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24 |
|
I/O8 |
|||||||
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I/O7 |
|
11 |
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23 |
|
NC |
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12 13 |
14 |
15 |
16 17 18 |
19 20 21 |
22 |
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|
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|
|
|
|
WE |
|
A0 |
|
A1 |
A2 |
A3 A4 NC |
A5 |
|
A6 A7 |
|
A8 |
|
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|||||||||||||||
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|
2 Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
11/30/00
IS61LV12816 |
ISSI® |
PIN DESCRIPTIONS
A0-A16 |
Address Inputs |
|
|
I/O0-I/O15 |
Data Inputs/Outputs |
|
|
CE |
Chip Enable Input |
|
|
OE |
Output Enable Input |
|
|
WE |
Write Enable Input |
|
|
LB |
Lower-byte Control (I/O0-I/O7) |
|
|
UB |
Upper-byte Control (I/O8-I/O15) |
|
|
NC |
No Connection |
|
|
Vcc |
Power |
|
|
GND |
Ground |
|
|
OPERATING RANGE
Range |
Ambient Temperature |
VCC |
Commercial |
0°C to + 70°C |
3.3V ± 10% |
Industrial |
–40°C to + 85°C |
3.3V ± 10% |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
Symbol |
Parameter |
|
Value |
Unit |
VCC |
Power Supply Voltage Relative to GND |
–0.5 to 5.0 |
V |
|
|
|
|
|
|
VTERM |
Terminal Voltage with Respect to GND |
–0.5 to Vcc + 0.5 |
V |
|
|
|
|
|
|
TSTG |
Storage Temperature |
|
–65 to + 150 |
°C |
|
|
|
|
|
TBIAS |
Temperature Under Bias: |
Com. |
–10 to + 85 |
°C |
|
|
Ind. |
–45 to + 90 |
°C |
|
|
|
|
|
PT |
Power Dissipation |
|
2.0 |
W |
|
|
|
|
|
IOUT |
DC Output Current |
|
±20 |
mA |
|
|
|
|
|
Note:
1.Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
Symbol |
Parameter |
Test Conditions |
Min. |
Max. |
Unit |
VOH |
Output HIGH Voltage |
VCC = Min., IOH = –4.0 mA |
2.4 |
— |
V |
|
|
|
|
|
|
VOL |
Output LOW Voltage |
VCC = Min., IOL = 8.0 mA |
— |
0.4 |
V |
|
|
|
|
|
|
VIH |
Input HIGH Voltage(1) |
|
2 |
VCC + 0.3 |
V |
VIL |
Input LOW Voltage(1) |
|
–0.3 |
0.8 |
V |
ILI |
Input Leakage |
GND - VIN - VCC |
–1 |
1 |
µA |
|
|
|
|
|
|
ILO |
Output Leakage |
GND - VOUT - VCC, Outputs Disabled |
–1 |
1 |
µA |
|
|
|
|
|
|
Note:
1.VIL (min.) = –0.3V DC; VIL (min.) = –2.0V AC (pulse width - 2.0 ns).
VIH (max.) = VCC + 0.3V DC; VIH (max.) = VCC + 2.0V AC (pulse width - 2.0 ns).
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774 |
3 |
Rev. A
11/30/00
IS61LV12816 |
|
|
|
|
|
|
|
ISSI® |
TRUTH TABLE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I/O PIN |
|
|
Mode |
WE |
CE |
OE |
LB |
UB |
I/O0-I/O7 |
I/O8-I/O15 |
Vcc Current |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Not Selected |
X |
H |
X |
X |
X |
High-Z |
High-Z |
ISB1, ISB2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Output Disabled |
H |
L |
H |
X |
X |
High-Z |
High-Z |
ICC |
|
X |
L |
X |
H |
H |
High-Z |
High-Z |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Read |
H |
L |
L |
L |
H |
DOUT |
High-Z |
ICC |
|
H |
L |
L |
H |
L |
High-Z |
DOUT |
|
|
H |
L |
L |
L |
L |
DOUT |
DOUT |
|
Write |
L |
L |
X |
L |
H |
DIN |
High-Z |
ICC |
|
L |
L |
X |
H |
L |
High-Z |
DIN |
|
|
L |
L |
X |
L |
L |
DIN |
DIN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)
|
|
|
|
-8 ns |
|
-10 ns |
-12 ns |
-15 ns |
|
|||
Symbol |
Parameter |
Test Conditions |
|
Min. Max. |
Min. Max. |
Min. Max. |
Min. Max. |
Unit |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICC |
Vcc Operating |
VCC = Max., CE = VIL |
Com. |
— |
150 |
— |
125 |
— |
110 |
— |
90 |
mA |
|
Supply Current |
IOUT = 0 mA, f = Max. |
Ind. |
— |
160 |
— |
135 |
— |
120 |
— |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISB1 |
TTL Standby |
VCC = Max., |
Com. |
— |
50 |
— |
40 |
— |
35 |
— |
30 |
mA |
|
Current |
VIN = VIH or VIL |
Ind. |
— |
60 |
— |
50 |
— |
45 |
— |
40 |
|
|
(TTL Inputs) |
CE • VIH, f = max |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISB2 |
CMOS Standby |
VCC = Max., |
Com. |
— |
10 |
— |
10 |
— |
10 |
— |
10 |
mA |
|
Current |
CE - VCC – 0.2V, |
Ind. |
— |
20 |
— |
20 |
— |
20 |
— |
20 |
|
|
(CMOS Inputs) |
VIN > VCC – 0.2V, or |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VIN - 0.2V, f = 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Note:
1. At f = fMAX, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
4 Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
11/30/00