Siemens LAE675-U2, LAE675-U1, LAE675-T2, LAE675-T1, LAE675-S2 Datasheet

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Siemens LAE675-U2, LAE675-U1, LAE675-T2, LAE675-T1, LAE675-S2 Datasheet

Power TOPLED®

LA E675

Hyper-Bright LED

 

Besondere Merkmale

Gehäusebauform: P-LCC-4

Gehäusefarbe: weiß

als optischer Indikator einsetzbar

zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiterund Linseneinkopplung

für alle SMT-Bestücktechniken geeignet

gegurtet (8 mm-Filmgurt)

JEDEC Level 3

nur IR Reflow Löten

Features

P-LCC-4 package

color of package: white

for use as optical indicator

for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

suitable for all SMT assembly methods

available taped on reel (8 mm tape)

JEDEC Level 3

IR reflow soldering only

VPL06837

Typ

Emissions-

Farbe der

Lichtstärke

Lichtstrom

Bestellnummer

 

farbe

Lichtaustritts-

 

 

 

 

 

 

fläche

 

 

 

 

Type

Color of

Color of the

Luminous

Luminous

Ordering Code

 

Emission

Light Emitting

Intensity

 

Flux

 

 

 

Area

IF = 50 mA

IF = 50 mA

 

 

 

 

IV (mcd)

 

ΦV (mlm)

 

 

 

 

 

 

 

 

LA E675

amber

colorless clear

 

 

 

Q62703-Q3764

LA E675-S1

 

 

160 ...

250

600 (typ.)

 

LA E675-S2

 

 

200 ...

320

750 (typ.)

 

LA E675-T1

 

 

250 ...

400

900 (typ.)

 

LA E675-T2

 

 

320 ...

500

1200 (typ.)

 

LA E675-U1

 

 

400 ...

630

1500 (typ.)

 

LA E675-U2

 

 

500 ...

800

1800 (typ.)

 

 

 

 

 

 

 

 

Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max / IV min 1.6.

Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 1.6.

Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.

Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.

Semiconductor Group

1

1998-11-05

LA E675

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

 

Symbol

 

Werte

Einheit

Parameter

 

Symbol

 

Values

Unit

 

 

 

 

 

 

Betriebstemperatur

 

Top

40 ... + 100

°C

Operating temperature range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lagertemperatur

 

Tstg

40 ... + 100

°C

Storage temperature range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sperrschichttemperatur

 

Tj

 

+ 120

°C

Junction temperature

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Durchlaßstrom

 

IF

 

70

mA

Forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sperrspanung1)

 

VR

 

3

V

Reverse voltage1)

 

 

 

 

 

Verlustleistung

 

Ptot

 

130

mW

Power dissipation

 

 

 

 

 

TA £ 25 °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Wärmewiderstand

 

Rth JA

 

290

K/W

Thermal resistance

 

 

 

 

 

Sperrschicht / Umgebung

 

 

 

 

 

Junction / air

³ 12 mm2)

 

 

 

 

Montage auf PC-board*) (Padgröße

 

 

 

 

mounted on PC board*) (pad size ³ 12 mm2)

 

 

 

 

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

 

 

 

1)

Reverse biasing should be avoided.

 

 

 

 

 

*)

PC-board: FR4

 

 

 

 

 

Semiconductor Group

2

1998-11-05

LA E675

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Symbol

 

Werte

 

Einheit

Parameter

Symbol

 

Values

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

min.

typ.

max.

 

 

 

 

 

 

 

Wellenlänge des emittierten Lichtes

λpeak

624

nm

Wavelength at peak emission

 

 

 

 

 

IF = 50 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Dominantwellenlänge

λdom

612

617

623

nm

Dominant wavelength

 

 

 

 

 

IF = 50 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max

λ

18

nm

Spectral bandwidth at 50% Irel max

 

 

 

 

 

IF = 50 mA

 

 

 

 

 

Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)

2ϕ

120

Grad

Viewing angle at 50% Iv

 

 

 

 

deg.

 

 

 

 

 

 

Durchlaßspannung 1)

VF

2.1

2.55

V

Forward voltage1)

 

 

 

 

 

IF = 50 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sperrstrom

IR

0.01

10

μA

Reverse current

 

 

 

 

 

VR = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA)

TCλ

0.05

nm/K

Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA)

 

 

 

 

 

Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA)

TCλ

0.14

nm/K

Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA)

 

 

 

 

 

Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA)

TCV

– 2.1

mV/K

Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA)

 

 

 

 

 

Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA)

TCI V

– 0.6

%/K

Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA)

 

 

 

 

 

1)Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups

Gruppe

Durchlaßspannung

Einheit

Group

Forward voltage

Unit

 

 

 

 

 

min.

max.

 

 

 

 

 

1

1.85

2.25

V

 

 

 

 

2

2.15

2.55

V

 

 

 

 

Semiconductor Group

3

1998-11-05

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