HIT PF0210 Datasheet

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PF0210

MOS FET Power Amplifier Module for ADC Mobile Phone

ADE-208-102E (Z)

Preliminary

6th Edition

July 1996

Features

High efficiency: 34% Typ for CW

30% Typ for π/4-DQPSK

Low input power: 0 dBm ave. Typ for π /4-DQPSK

Simple bias circuit

High speed switching: 8 µs Typ

Pin Arrangement

RF-B2

 

5

 

 

 

 

1: Pin

 

 

4

2: VAPC

 

3

3: VDD

 

 

 

 

 

4: Pout

5

2

 

5: GND

1

 

 

HIT PF0210 Datasheet

PF0210

Internal Diagram and External Circuit

G

 

 

 

 

 

 

G

GND

 

 

 

 

 

 

GND

 

Pin1

 

Pin2

 

Pin3

 

Pin4

 

Pin

 

VAPC

 

VDD

 

Pout

 

Z1

C1

FB1

C3

FB2

C2

Z2

 

Pin

 

VAPC

 

VDD

 

Pout

C1 = C2 = 0.01 μF (Ceramic chip capacitor)

 

 

 

 

C3 = 330

μF (Aluminum Electrolyte Capacitor)

 

 

 

 

FB = Ferrite bead BL01RN1-A62-001 (Manufacture: MURATA) or equivalent

 

Z1 = Z2 = 50 Ω (Microstrip line)

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Item

Symbol

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rating

Unit

Supply voltage

VDD

17

V

Supply current

IDD

4

A

VAPC voltage

VAPC

5.5

V

Input power

Pin

20

mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Operating case temperature

Tc (op)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–30 to +100

°C

Storage temperature

Tstg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–40 to +110

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

PF0210

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

Analog Transmission

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

Test Condition

Frequency

f

824

849

MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain cutoff current

IDS

500

µA

 

VDD = 17 V, VAPC = 0 V

Total efficiency(1)

ηT(1)

30

34

%

Pin = 3 dBm, VDD = 12.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

2nd harmonic distortion

2nd H.D.

–55

–30

dBc

 

Pout = 6 W (V APC controlled),

 

 

 

 

 

 

 

 

3rd harmonic distortion

3rd H.D.

–60

–40

dBc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input VSWR

VSWR (in)

2

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output power

Pout

6

9

W

Pin = 3 dBm, VDD = 12.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 4 V

 

 

 

 

 

 

 

Isolation

–45

–40

dBm

Pin = 3dBm, VDD = 12.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 0.5 V

 

 

 

 

 

Stability

No parasitic oscillation

Pin = 3 dBm, VDD = 12.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

Pout ≤ 6 W,

 

 

 

 

 

 

 

Output VSWR = 20:1 All phases

 

 

 

 

 

 

 

 

Digital Transmission

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

Test Condition

Frequency

f

824

849

MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ηT(2)

 

 

 

 

 

 

 

Total efficiency(2)

25

30

%

Pin controlled ( π/4-DQPSK, √α

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Adjacent channel

PADJ (30k)

–30

–28

dBc

0.35, 48.6 kbps),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

leakage power

PADJ (60k)

–50

–46

dBc

BW =24.3 kHz with Root Nyquist

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input power

Pin

5

dBm ave. Filter,

 

 

 

 

 

 

 

Pout = 5.5 W ave., VDD = 12.5 V

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 3.9 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Mechanical Characteristics

Item

Conditions

Spec

Torque for screw up the heatsink flange

M3 Screw Bolts

4 to 6 kg•cm

Warp size of the heatsink flange: S

 

S = 0

 

 

+0.3/– 0 mm

 

 

S

3

PF0210

Characteristics Curve

V.S.W.R. (in)

V.S.W.R. (in)

6

5

4

3

2

1

6

5

4

3

2

1

 

 

 

 

VAPC, ηT, VSWR (in) vs. Frequency

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pin = 2 mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD = 12.5 V

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout

= 6 W

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(V)

 

 

VAPC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(%)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

APC

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

ηT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

η

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VoltageApc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

Efficiency

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VSWRin

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

829

834

839

844

 

 

 

 

 

824

 

849

 

 

 

 

 

 

 

 

Frequency f (MHz)

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout, ηT, VSWR (in) vs. Frequency

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ηT

 

Pin = 2 mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD = 12.5 V

 

 

 

 

 

(W)

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 3.9 V

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout

 

 

 

 

 

 

40

(%)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

η

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

OutputPower

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

Efficiency

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VSWRin

 

 

 

 

 

 

10

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

829

834

839

844

 

 

 

 

824

 

849

 

Frequency f (MHz)

4

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