HIT PF01412A Datasheet

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HIT PF01412A Datasheet

PF01412A

MOS FET Power Amplifier Module

for E-GSM Handy Phone

ADE-208-477B (Z) 3rd Edition February 1997

Application

For GSM class4 890 to 915 MHz

For 5.5V nominal DC/DC converter use

Features

High gain 3stage amplifier : 0 dBm input

Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc

High efficiency : 45% Typ at 3.8 W

Wide gain control range : 90 dB Typ

Pin Arrangement

RF-K

 

G

G

3

1: Pin

 

4

 

 

2: Vapc

 

 

 

 

3: Vdd

 

 

 

 

G 2

 

 

 

 

4: Pout

 

 

 

1

G

G: GND

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Item

Symbol

Rating

Unit

Supply voltage

VDD

10

V

Supply current

IDD

3

A

VAPC voltage

VAPC

4

V

Input power

Pin

10

mW

 

 

 

 

Operating case temperature

Tc (op)

–30 to +100

°C

Storage temperature

Tstg

–30 to +100

°C

Output power

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout

6

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PF01412A

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

Max

Unit

Test Condition

Frequency range

f

890

 

 

915

 

MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Control voltage range

VAPC

0.5

 

 

3.0

 

 

V

 

Drain cutoff current

IDS

 

100

 

 

 

µA

VDD = 10 V, VAPC = 0 V

Total efficiency

ηT

40

45

 

 

 

 

 

%

Pin = 1 mW, V DD = 5.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2nd harmonic distortion

2nd H.D.

 

–45

 

–35

dBc

Pout = 3.8 W, Vapc = controlled

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3rd harmonic distortion

3rd H.D.

 

–45

 

–35

dBc

RL = Rg = 50 Ω, Tc = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input VSWR

VSWR (in)

1.5

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output power (1)

Pout (1)

3.8

4.5

 

 

 

 

W

Pin = 1 mW, V DD = 5.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 3.0 V, RL = Rg = 50 Ω,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tc = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output power (2)

Pout (2)

2.5

3.2

 

 

 

 

W

Pin = 1 mW, V DD = 5.0 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 3.0 V, RL = Rg = 50 Ω,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tc = 80°C

 

 

 

 

 

 

 

 

Isolation

–50

 

–40

dBm

Pin = 1 mW, V DD = 5.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VAPC = 0.5 V, RL = Rg = 50 Ω,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tc = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Switching time

tr, tf

1

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

µs

Pin = 1 mW, VDD = 5.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout = 3.8 W, RL = Rg = 50 Ω,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tc = 25°C

 

 

 

 

 

Stability &

No parasitic oscillation

Pin = 1 mW, V DD = 5 to 6 V,

Load VSWR tolerance

 

&

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout ≤ 3.8 W,

 

 

No degradation

 

Vapc ≤ 3 V GSM pulse.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rg = 50 Ω, t = 20 sec., Tc = 25°C,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output VSWR = 6 : 1 All phases

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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