HIT HZU6.2L Datasheet

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HIT HZU6.2L Datasheet

HZU6.2L

Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb

ADE-208-776(Z)

Rev 0

Feb. 1999

Features

Lower reverse current leakage compared with conventional products.

Ultra small Resin Package (URP) is suitable for surface mount design.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HZU6.2L

62C

URP

 

 

 

Outline

Cathode mark

Mark

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

62C

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Cathode

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Anode

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HZU6.2L

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Power dissipation

Pd *1

150

mW

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

°C

Note 1. See Fig.2.

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

 

 

 

Unit

 

Test Condition

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Zener voltage

VZ

5.80

 

6.60

 

 

 

V

 

IZ = 5 mA, 40ms pulse

Reverse current

IR

 

 

100

 

 

 

 

nA

 

VR = 5.0V

Dynamic resistance

r d

 

 

30

 

 

 

 

 

Ω

 

IZ = 5 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

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