HIT BB502M Datasheet

Loading...

BB502M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

UHF RF Amplifier

ADE-208-809B(Z) 3rd. Edition Jun. 1999

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

Low noise; NF = 1.6 dB typ. at f = 900 MHz

High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143mod)

Outline

MPAK-4

 

 

2

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

1

 

 

 

4

1.

Source

 

 

 

2.

Gate1

 

 

 

3.

Gate2

 

 

 

4.

Drain

Notes:

1.

Marking is “BS–”.

 

 

 

2.

BB502M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB502M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

6

V

Gate1 to source voltage

VG1S

+6

V

 

 

–0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

+6

V

 

 

–0

 

 

 

 

 

Drain current

ID

20

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

150

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

+6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

+6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

+100

nA

V

G1S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

+100

nA

V

G2S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff voltage VG1S(off)

0.5

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 5V, VG2S = 4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff voltage VG2S(off)

0.5

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 5V, VG1S = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op)

8

 

 

 

 

11

 

 

 

 

14

mA

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 4V, RG = 180kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

20

 

 

 

 

25

 

 

 

 

30

mS

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

1.4

 

 

 

 

1.7

 

 

 

 

2.0

pF

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

Output capacitance

coss

0.7

 

 

 

 

1.1

 

 

 

 

1.5

pF

 

VG2S =4V, RG = 180kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.02

 

 

 

 

0.05

pF

f = 1MHz

Power gain

PG

17

 

 

 

 

22

 

 

 

 

 

dB

V DS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V, RG = 180kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.6

 

 

 

 

2.2

dB

f = 900MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB502M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

I D

Application Circuit

 

 

VAGC = 4 to 0.3 V

V DS = 5

V

BBFET

RFC

Output

 

 

Input

 

 

R G

 

 

V GG = 5 V

 

 

3

HIT BB502M Datasheet

BB502M

900MHz Power Gain, Noise Test Circuit

VG1 VG2

 

VD

 

C4

C5

 

C6

 

R1

R2

R3

 

RFC

 

C3

 

 

 

 

G2

D

 

Output (50Ω)

 

 

 

 

Input (50Ω)

G1

 

L3

L4

 

 

 

S

L1 L2

C1

C2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C1, C2 :

Variable Capacitor (10pF MAX)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C3 :

Disk Capacitor (1000pF)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C4 to C6 :

Air Capacitor (1000pF)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 :

180 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R2 :

47 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R3 :

4.7 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L1:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L2:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L3:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L4:

 

 

 

 

 

18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(φ1mm Copper wire) Unit: mm

RFC: φ1mm Copper wire with enamel 4turns inside dia 6mm

4

+ 9 hidden pages