HIT BB403M Datasheet

Loading...

BB403M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

VHF/UHF RF Amplifier

ADE-208-699A (Z) 2nd. Edition Nov. 1998

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

High forward transfer admittance; (|yfs| = 42 mS typ. at f = 1 kHz)

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 250V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4R (SOT-143 var.)

Outline

MPAK-4R

3

4

 

2

 

1

1.

Source

 

2.

Drain

 

3.

Gate2

 

4.

Gate1

Notes: 1. Marking is “CX–”.

2. BB403M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB403M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

7

V

Gate1 to source voltage

VG1S

– 0/ +7

V

Gate2 to source voltage

VG2S

– 0/ +7

V

Drain current

ID

25

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

150

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

+7

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

+7

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

 

 

+100

nA

V

G1S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

 

 

+100

nA

V

G2S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0.3

 

0.6

 

 

0.9

V

 

VDS = 5V, VG2S = 4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0.5

 

0.8

 

 

1.1

V

 

VDS = 5V, VG1S = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op)

9

 

 

 

 

14

 

 

 

20

mA

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 4V, RG = 470kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

35

 

 

42

 

 

 

50

mS

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

2.6

 

3.3

 

 

4.0

pF

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

Output capacitance

coss

1.7

 

2.1

 

 

2.5

pF

 

VG2S =4V, RG = 470kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.025

0.05

pF

f = 1MHz

Power gain

PG1

28

 

 

32

 

 

 

dB

V DS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V, RG = 470kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF1

1.0

 

 

 

 

1.6

dB

f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG2

12

 

 

16.5

dB

V DS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V, RG = 470kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF2

2.85

 

3.7

dB

f = 900MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB403M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

I D

Power Gain, Noise Figure Test Circuit

V T

 

VG2

 

 

 

V T

1000p

 

1000p

 

 

 

1000p

 

1000p

47k

BBFET

 

 

47k

47k

 

 

L2

1000p

Output(50Ω)

 

 

 

Input(50Ω)

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

10p max

1000p

 

1000p

RFC

 

 

 

 

 

 

1SV70

 

36p

1SV70

R G

470k

 

 

 

 

 

 

 

1000p

 

 

 

 

 

 

V D= V G1

Unit

Resistance

(Ω)

 

 

 

 

Capacitance (F)

 

 

 

 

 

L1 : φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

L2 : φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

RFC : φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 5mm, 2Turns

3

BB403M

900MHz Power Gain, Noise Test Circuit

VG1 VG2

 

VD

 

C4

C5

 

C6

 

R1

R2

R3

 

RFC

 

C3

 

 

 

 

G2

D

 

Output

 

 

 

 

 

G1

 

L3

L4

Input

 

 

 

 

S

 

 

L1

L2

 

 

 

 

 

 

C1

 

 

C2

L1:

10

L3:

7

C1, C2 : Variable Capacitor (10pF MAX)

C3 : Disk Capacitor (1000pF)

C4 to C6 : Air Capacitor (1000pF)

R1 : 470 kΩ

R2 : 47 kΩ

R3 : 4.7 kΩ

L2:

10

 

 

8

 

26

 

 

 

3

3

25

 

 

29

L4:

18

 

 

7

10

10

(φ1mm Copper wire) Unit : mm

RFC : φ1mm Copper wire with enamel 4turns inside dia 6mm

4

HIT BB403M Datasheet

BB403M

Maximum Channel Power

Dissipation Curve

(mW)

200

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

(mA)

 

Pch

150

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

Power Dissipation

 

 

 

 

 

D

15

 

 

 

 

 

Drain Current I

100

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

10

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

Channel

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

 

0

 

 

Ambient Temperature Ta (°C)

Typical Output Characteristics

VG2S

= 4 V

 

 

 

 

k

Ω

 

k

Ω

 

Ω

 

 

V G1= VDS

 

 

 

180

 

220

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

270

k

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

R

G

 

 

 

 

 

330

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

390

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

470 k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

560

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

680

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.5M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

820 kΩ

 

2.2

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 MΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

3

 

 

 

 

 

4

 

 

5

Drain to Source Voltage

 

VDS (V)

Drain Current I D (mA)

25

20

15

10

5

0

Drain Current vs.

Drain Current vs.

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

V

= 4 V

 

 

 

 

 

25

 

 

 

2.5 V

 

G2S

 

 

 

1.4 V

 

 

 

V DS = 5 V

 

4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.5 V

 

 

 

 

 

 

 

1.3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

15

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.2 V

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.1 V

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0 V

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

= 0.9 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G1S

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

 

4

 

5

0

4.0

8.0

1.2

1.6

2.0

Drain to Source Voltage

V DS

(V)

 

 

Gate1 to Source Voltage

VG1S (V)

5

+ 9 hidden pages