HIT BB402M Datasheet

Loading...

BB402M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

VHF RF Amplifier

ADE-208-716A (Z) 2nd. Edition Dec. 1998

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

Low noise characteristics;

(NF = 1.7 dB typ. at f = 200 MHz)

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 240V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.)

Outline

MPAK-4R

3

4

2

1 1. Source

2. Drain

3. Gate2

4. Gate1

Notes: 1. Marking is “BX–”.

2. BB402M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB402M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

12

V

Gate1 to source voltage

VG1S

+10

V

 

 

– 0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

±10

V

Drain current

ID

25

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

150

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200µA, VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown voltage

V(BR)G1SS

+10

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source breakdown voltage

V(BR)G2SS

±10

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = ±10µA, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

+100

nA

V

G1S = +9V, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

±100

nA

 

VG2S = ±9V, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0.4

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 9V, VG2S = 6V, ID = 100µA

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0.4

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 9V, VG1S = 9V, ID = 100µA

Drain current

ID(op)

9

 

 

 

 

13

 

 

 

 

18

mA

 

VDS = 9V, VG1

= 9V, VG2S = 6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 120kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

15

 

 

 

20

 

 

 

 

 

mS

V DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 120kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

2.2

 

 

3.0

 

 

 

 

4.0

pF

 

VDS = 9V, VG1

= 9V

Output capacitance

coss

0.8

 

 

1.1

 

 

 

 

1.5

pF

 

VG2S =6V, RG = 120kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.017

 

 

0.04

pF

f = 1MHz

 

Power gain

PG

22

 

 

 

26

 

 

 

 

 

dB

V DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.7

 

 

 

 

2.2

dB

R G = 120kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB402M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Source

Drain

A

I D

Power Gain, Noise Figure Test Circuit

V T

 

VG2

 

 

 

V T

1000p

 

1000p

 

 

 

1000p

 

1000p

47k

BBFET

 

 

47k

47k

 

 

L2

1000p

Output (50Ω)

 

 

 

Input (50Ω)

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

10p max

1000p

 

1000p

RFC

 

 

 

 

 

 

1SV70

 

36p

1SV70

R G

120k

 

 

 

 

 

 

 

1000p

 

 

 

 

 

 

V D= V G1

Unit

Resistance

(Ω)

 

 

 

 

Capacitance

(F)

 

 

 

 

 

L1: φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

L2: φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

RFC: φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 5mm, 2Turns

3

HIT BB402M Datasheet

BB402M

Maximum Channel Power

 

Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

(mW)

200

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V G1

= VDS

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

Pch

 

 

 

 

 

(mA)

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

20

 

 

56

k

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

68

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel Power Dissipation

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

82

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current I

15

 

 

 

 

 

 

 

k

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

150

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

180

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

50

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

220

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=270

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

0

2

4

6

 

 

 

 

8

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ambient Temperature

Ta

(¡C)

 

Drain to Source Voltage

 

 

VDS (V)

Drain Current I D (mA)

25

20

15

10

5

0

Drain Current vs.

 

Gate2 to Source Voltage

Drain Current vs. Gate1 Voltage

 

 

 

Ω

 

68 k Ω

 

 

20

V DS = 9 V

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

56

 

 

 

 

 

(mA)

 

R G = 100 kΩ

 

6 V

 

 

 

 

 

82 k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k Ω

 

 

 

 

 

 

4 V

 

 

 

 

 

 

100

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120 k Ω

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

Current

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150 k Ω

 

 

 

 

2 V

 

 

 

 

 

 

180 k Ω

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200 k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G = 220 k Ω

 

 

4

 

 

 

VG2S = 1 V

 

 

 

 

 

V DS = VG1 = 9 V

 

 

 

 

 

 

 

1.2

 

 

2.4

3.8

4.8

6.0

 

0

2

4

6

8

10

Gate2 to Source Voltage

VG2S

(V)

 

 

Gate1 Voltage

 

V G1 (V)

 

4

+ 7 hidden pages