HIT BB304M Datasheet

Loading...

BB304M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

UHF/VHF RF Amplifier

ADE-208-605C (Z) 4th. Edition August 1998

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

High gain;

(PG = 29 dB typ. at f = 200 MHz)

Low noise characteristics;

(NF = 1.2 dB typ. at f = 200 MHz)

Wide supply voltage range;

Applicable with 5V to 9V supply voltage.

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143mod)

Outline

MPAK-4

2

3

 

1

 

4

1.

Source

 

2.

Gate1

 

3.

Gate2

 

4.

Drain

Note: 1. Marking is “DW–”.

2. BB304M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB304M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ratings

 

Unit

 

Drain to source voltage

VDS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

V

 

Gate1 to source voltage

VG1S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+10

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±10

 

 

V

 

Drain current

ID

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

°C

 

Storage temperature

Tstg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–55 to +150

 

°C

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

12

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200 A, VG1S = VG2S = 0

 

Gate1 to source breakdown voltage

V(BR)G1SS

+10

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10 A, VG2S = VDS = 0

 

Gate2 to source breakdown voltage

V(BR)G2SS

±10

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = ±10 A, VG1S = VDS = 0

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

 

+100

nA

V

G1S = +9V, VG2S = VDS = 0

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

 

±100

nA

 

VG2S = ±9V, VG1S = VDS = 0

 

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0.4

 

 

 

 

 

 

1.0

V

V DS = 5V, VG2S = 4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

 

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0.5

 

 

 

 

 

 

1.0

V

V DS = 5V, VG1S = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BB304M

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Item

Symbol

Min

 

Typ

 

 

Max

Unit

 

Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

2.3

 

2.8

 

 

3.6

pF

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

Output capacitance

coss

0.9

 

1.3

 

 

2.0

pF

 

RG = 180kΩ, f = 1MHz

 

 

Reverse transfer capacitance

crss

0.003

 

0.02

0.05

pF

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op) 1

9

 

15

 

 

 

19

mA

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S = 4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID(op) 2

13

 

 

 

 

mA

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|1

22

 

27

 

 

 

34

mS

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|yfs|2

27

 

 

 

 

mS

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG1

24

 

29

 

 

 

32

dB

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PG2

29

 

 

 

 

dB

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF1

1.2

 

 

 

 

1.9

 

dB

V DS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NF2

1.2

 

 

 

 

dB

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

HIT BB304M Datasheet

BB304M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I

, |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D(op)

 

 

 

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

ID

Power Gain, Noise Figure Test Circuit

VT

 

VG2

 

 

 

VT

1000p

 

1000p

 

 

 

1000p

 

1000p

47k

BBFET

 

 

47k

47k

 

 

L2

1000p

Output(50 ¶)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input(50 ¶)

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

10p max

 

 

 

 

 

 

1000p

 

1000p

RFC

 

 

 

 

 

R G

1SV70

36p

1SV70

470k

 

 

 

1000p

VD= VG1

L1 : 1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

L2 : 1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns RFC : 1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 5mm, 2Turns

Unit @Resistance @( )

@ @ Capacitance @(F)

.

4

+ 8 hidden pages