HIT BB102M Datasheet

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BB102M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

UHF RF Amplifier

ADE-208-587 (Z) 1st. Edition November 1997

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

Low noise characteristics;

(NF = 2.1 dB typ. at f = 900 MHz)

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143mod)

Outline

MPAK-4

2

3

1

4 1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

Note 1 Marking is “BW–”.

Note 2 BB302M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB102M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

12

V

Gate1 to source voltage

VG1S

+10

V

 

 

–0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

±10

V

Drain current

ID

25

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

150

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

 

Typ

 

 

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

12

 

 

 

 

V

I

D = 200µA, VG1S = VG2S = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

+10

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA, VG2S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

±10

 

 

 

 

V

I

G2 = ±10µA, VG1S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

+100

nA

V

G1S = +9V, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

±100

nA

 

VG2S = ±9V, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff voltage VG1S(off)

0.1

 

 

 

0.8

V

V DS = 9V, VG2S = 6V, ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff voltage VG2S(off)

0.5

 

 

 

1.1

V

V DS = 9V, VG1S = 9V, ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op)

10

15

 

 

 

20

mA

 

VDS = 9V, VG1 = 9V, VG2S = 6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 560kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

16

21

 

 

 

 

 

mS

V DS = 9V, VG1 = 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 560kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

1.2

1.6

 

 

2.2

pF

 

VDS = 9V, VG1 = 9V

Output capacitance

coss

0.7

1.1

 

 

1.5

pF

 

VG2S =6V, RG = 560kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.011

0.03

pF

f = 1MHz

Power gain

PG

16

20

 

 

 

 

 

dB

V DS = 9V, VG1 = 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

2.1

 

 

 

 

3.1

dB

R G = 120kΩ, f = 900MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB102M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

I D

Application Circuit

 

 

VAGC = 6 to 0.3 V

V DS = 9

V

BBFET

RFC

Output

 

 

Input

 

 

R G

 

 

V GG = 9 V

 

 

3

HIT BB102M Datasheet

BB102M

Maximum Channel Power

 

Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

(mW)

200

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 6 V

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

V

G1

= V

DS

 

270

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pch

 

 

 

 

 

(mA)

20

 

 

 

 

k

 

 

Ω

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

330

 

 

k

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

390

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

Channel Power Dissipation

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

470 k

 

 

 

 

 

Drain Current I

15

 

 

 

 

 

 

 

560

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

680 k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

820

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

M

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

50

 

 

 

 

5

 

 

 

 

RG

= 2.2

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

0

 

2

 

4

6

 

 

8

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ambient Temperature

Ta

(°C)

 

Drain to Source Voltage

 

VDS (V)

Drain Current I D (mA)

 

 

Drain Current vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

Gate2 to Source Voltage

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS

= VG1 = 9 V

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

 

20

 

 

270

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

330

k

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

390

k

Ω

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

15

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

470

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

Ω

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

M

 

 

 

 

8

 

 

 

560 k

Ω

 

 

 

 

 

 

 

680

k

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

820

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.5M

Ω

Drain

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

.2

M

 

 

4

 

 

 

RG

=2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1.2

2.4

3.8

 

 

 

 

4.8

 

 

6.0

 

0

Gate2 to Source Voltage

 

 

 

VG2S

 

(V)

 

 

Drain Current vs. Gate1 Voltage

V DS = 9 V

 

 

 

 

 

 

 

 

R G = 470 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

6

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

2

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 1 V

 

2

4

6

 

 

8

 

 

10

Gate1 Voltage

 

V G1 (V)

 

 

4

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