HIT 4AC14 Datasheet

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4AC14

Silicon NPN Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier

Outline

SP-10

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1, 10

 

 

Emitter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2, 4, 6, 8

Base

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3, 5, 7, 9

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

2

4

 

ID

1

7

 

6

8

 

ID

5

ID

9

ID

10

4AC14

Absolute Maximum Ratings (for each device, Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

150

V

Collector to emitter voltage

VCEO

150

V

Emitter to base voltage

VEBO

7

V

Collector current

IC

5

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

10

A

Diode current

ID

5

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

4

W

 

 

 

 

 

PC*1 (TC = 25°C)

28

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. 4 devices operation.

 

 

 

Electrical Characteristics (for each device, Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

 

Unit

 

Test conditions

 

Collector to emitter breakdown

V(BR)CBO

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

C = 0.1 mA, IE = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter sustain

VCEO(SUS)

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

C = 0.2 A, L = 20 mHz, RBE =

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

E = 50 mA, IC = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

 

10

 

A

 

VCB = 120 V, IE = 0

 

 

ICEO

 

10

 

 

V

CE = 120 V, RBE =

 

DC current transfer ratio

h

 

1000

 

 

 

 

20000

 

 

V

CE

= 3 V, I = 3 A*1

 

 

FE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)

 

1.5

V

I

C

= 3 A, I = 6 mA*1

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

V

BE(sat)

 

2.0

V

I

C

= 3 A, I = 6 mA*1

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C to E diode forward current

VD

 

3.5

V

I

D = 5 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. Pulse test.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 4AC14 Datasheet

4AC14

 

 

Maximum Collector Dissipation Curve

 

 

6

4 device operation

 

(W)

 

 

 

 

 

 

 

Pc

 

3 device operation

PcdissipationpowerCollector(W)

dissipationpowerCollector

 

4

2 device operation

 

 

 

 

 

 

 

1 device operation

 

 

2

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

 

Ambient temperature

Ta

(°C)

 

Maximum Collector Dissipation Curve

30

4 device operation

3 device operation

20

2 device operation

10

1 device operation

Note: Collector power dissipation of each devices

0

50

100

150

is identical.

 

Case temperature TC (°C)

 

Collector current IC (A)

Area of Safe Operation

Typical Output Characteristics

100

 

 

 

 

 

 

 

5

4.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iC (peak)

 

 

 

 

 

 

4

 

10

 

 

 

 

(A)

4

3.5

2

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

.5

 

 

 

 

PW

 

1

 

 

 

IC (max)

 

 

 

I

 

2.5

1

 

 

 

=

ms

current

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

DC

 

10

 

 

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

(T

 

Operation

 

 

 

 

 

 

 

C

=

 

 

Collector

2

 

 

 

25

 

 

 

 

1 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

Ta = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 0 TC = 25°C

 

1 shot pulse

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.3

1.0

3.0

10

30

100

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1

2

3

4

5

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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