HIT 2SK3348 Datasheet

0 (0)

2SK3348

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Switching

ADE-208-772 A (Z) 2nd.Edition.

June 1999

Features

Low on-resistance

RDS = 1.6 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 50 mA) RDS = 2.2 Ω typ. (VGS = 2.5 V , ID = 50 mA)

2.5 V gate drive device.

Small package (CMPAK)

Outline

CMPAK

3

1

D

2

G

1. Source

2. Gate

3. Drain

S

2SK3348

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDSS

20

V

Gate to source voltage

VGSS

±10

V

Drain current

ID

100

mA

 

 

 

 

Drain peak current

Note1

400

mA

ID(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

IDR

100

mA

Channel dissipation

Pch Note 2

300

mW

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

 

 

 

2. Value on the alumina ceramic board (12.5x20x0.7mm)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

 

Symbol

Min

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

20

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 100 µA, VGS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source breakdown

V(BR)GSS

±10

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G = ±100 µA, VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source leak current

IGSS

 

±5

µA

 

 

VGS = ±8 V, VDS = 0

Zero gate voltege drain

IDSS

 

1

µA

 

 

VDS = 20 V, VGS = 0

current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source cutoff voltage

VGS(off)

0.8

 

 

 

 

 

 

 

1.8

V

I D = 10µA, VDS = 5 V

Static drain to source on state

RDS(on)

1.6

 

 

 

 

1.9

Ω

 

 

ID = 50 mA,VGS = 4 V Note 3

resistance

 

RDS(on)

2.2

 

 

 

 

3.2

Ω

 

 

ID = 50 mA,VGS = 2.5 V Note 3

Forward transfer admittance

|yfs|

143

 

 

 

 

220

 

 

 

 

 

mS

 

 

ID = 50 mA, VDS = 10 V Note 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

18

 

 

 

 

 

 

pF

V

DS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Coss

15

 

 

 

 

 

 

pF

V

 

GS = 0

Reverse transfer capacitance

Crss

5

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on delay time

td(on)

73

 

 

 

 

 

 

ns

I

 

D = 50 mA, VGS = 4 V

Rise time

 

tr

290

 

 

 

 

 

ns

R

L = 200Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off delay time

td(off)

360

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

Fall time

 

tf

360

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 3.

Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Marking is CN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 2SK3348 Datasheet

2SK3348

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

 

400

(mW)

300

*Pch

 

Disspation

200

 

Channel

100

 

0

50

100

150

200

 

Ambient Temperature

Ta ( °C)

 

*Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)

Typical Output Characteristics

 

10 V

8 V

 

 

 

 

 

1.0

6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse Test

 

(A)

0.8

5 V

 

 

 

 

VGS = 4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

D

 

 

 

 

 

I

0.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current

0.4

 

 

 

 

 

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 V

 

 

0

2

4

6

8

10

Drain to Source Voltage VDS (V)

Maximum Safe Operation Area

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

10 µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100 µs

(A)

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ms

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

PW = 10 ms

I

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

(1 shot)

 

 

 

 

DC

 

 

 

 

0.05

 

 

 

 

 

 

 

 

0.02

Operation in this area

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

0.01

is limited by RDS(on)

Operation

 

 

 

 

 

 

0.005

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.002

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.001

Ta = 25

°C

 

 

 

 

 

 

0.0005

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

0.05 0.1

0.2

0.5

1.0

2

10

20

50

Drain to Source Voltage VDS (V)

Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)

Typical Transfer Characteristics

 

0.5

 

 

 

V DS = 10 V

 

0.4

Pulse Test

(A)

 

 

 

D

0.3

 

I

 

Drain Current

0.2

 

0.1

Tc = –25 °C

 

 

75 °C

 

 

25 °C

 

 

 

 

0

1

2

3

4

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to Source Voltage

VGS

(V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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