HIT 2SK3082-L, 2SK3082-S Datasheet

0 (0)

2SK3082(L),2SK3082(S)

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-637 (Z) 2nd. Edition May 1998

Features

Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ.

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

LDPAK

4 4

D

 

1

2

 

 

 

3

 

G

1 2 3

1. Gate

 

 

2.

Drain

 

 

3.

Source

 

 

4.

Drain

S

2SK3082(L),2SK3082(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDSS

60

V

Gate to source voltage

VGSS

±20

V

Drain current

ID

10

A

 

 

 

 

Drain peak current

Note1

40

A

ID(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

IDR

10

A

Avalanche current

IAP Note3

10

A

Avalanche energy

EAR Note3

8.5

mJ

 

 

 

 

Channel dissipation

Pch Note2

30

W

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2.Value at Tc = 25°C

3.Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50Ω

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

 

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

60

V

I

D = 10mA, VGS = 0

Gate to source breakdown voltage

V(BR)GSS

±20

V

I

G = ±100µA, VDS = 0

Gate to source leak current

IGSS

±10

µA

 

 

VGS = ±16V, VDS = 0

Zero gate voltege drain current

IDSS

10

µA

 

 

VDS = 60 V, VGS = 0

Gate to source cutoff voltage

VGS(off)

1.5

2.5

V

I D = 1mA, VDS

= 10V

Static drain to source on state

RDS(on)

0.055

0.075

Ω

 

 

ID = 5A, VGS =

10VNote4

resistance

RDS(on)

0.090

0.150

Ω

 

 

ID = 5A, VGS =

4V Note4

Forward transfer admittance

|yfs|

5

8

S

I D = 5A, VDS =

10V Note4

Input capacitance

Ciss

350

pF

V

DS = 10V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Coss

190

pF

V

GS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse transfer capacitance

Crss

70

pF

f = 1MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on delay time

td(on)

10

ns

I

 

D = 5A, VGS =

10V

Rise time

tr

55

ns

R

L = 6Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off delay time

td(off)

60

ns

 

 

 

 

Fall time

tf

70

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Body–drain diode forward voltage

VDF

0.9

V

I

F = 10A, VGS = 0

Body–drain diode reverse

trr

50

ns

I

F = 10A, VGS = 0

recovery time

 

 

 

 

 

 

 

diF/ dt =50A/µs

Note: 4. Pulse test

2

HIT 2SK3082-L, 2SK3082-S Datasheet

2SK3082(L),2SK3082(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

 

40

(W)

30

Pch

 

Dissipation

20

 

Channel

10

 

0

50

100

150

200

Case Temperature Tc (°C)

 

 

Typical Output Characteristics

 

20

10 V 6 V

 

 

 

 

Pulse Test

(A)

16

5 V

 

 

 

D

 

4 V

I

12

 

 

 

Drain Current

8

 

4

3 V

 

 

 

VGS = 2.5 V

0

2

4

6

8

10

 

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

VDS (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Safe Operation Area

 

1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(A)

300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

10

 

 

PW

 

 

 

 

1

 

µs

 

 

 

 

=

10

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC

 

 

 

 

 

Drain

3

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1shot)

 

 

1

Operation in

(Tc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

this area is

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

limited by R DS(on)

Operation

 

 

 

 

0.3

 

 

25°C)

 

 

 

 

Ta = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

0.3

1

3

 

 

10

 

 

30

 

100

 

Drain to Source Voltage

 

V DS (V)

 

Typical Transfer Characteristics

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(A)

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tc = –25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

12

 

 

 

 

 

 

 

75°C

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CurrentDrain

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse Test

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

4

6

 

 

8

 

10

 

 

 

 

Gate to Source Voltage

V GS (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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