HIT 2SC2899 Datasheet

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2SC2899

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High speed and high voltage switching

Outline

TO-126 MOD

1.

Emitter

2.

Collector

3.

Base

1

2 3

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

500

V

Collector to emitter voltage

VCEO

400

V

Emitter to base voltage

VEBO

10

V

Collector current

IC

0.5

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

1.0

A

Collector power dissipation

PC

0.75

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PC*1

10

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HIT 2SC2899 Datasheet

2SC2899

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

 

Test conditions

Collector to emitter sustain

VCEO(sus)

400

V

I

C = 0.1 A, RBE = , L = 100

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

mH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCEX(sus)

400

V

I

C = 0.5 A, IB1 = –IB2 = 0.1 A,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VBE = –5 V, L = 180 µH,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Clamped

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

10

V

I

E = 10 mA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

20

µA

V

CB = 400 V, IC = 0

 

ICEO

50

µA

V

CE = 350 V, RBE =

DC current transfer ratio

h

FE1

15

 

V

CE

= 5 V, I = 0.25 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

h

FE2

7

 

V

CE

= 5 V, I = 0.5 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

Collector to emitter saturation

VCE(sat)

1.0

V

I

C = 0.25 A, IB = 0.05 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)

1.5

V

 

 

 

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn on time

ton

1.0

µs

I

C = 0.5 A, IB1 = –IB2 = 0.1 A,

 

 

 

 

 

 

 

 

CC 150 V

Storage time

tstg

2.0

µs

V

Fall time

tf

 

1.0

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector power dissipation Pc (W)

Maximum Collector Dissipation Curve

12

8

1

0

50

100

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Case Temperature TC (°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Area of Safe Operation

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50 μs

 

(A)

iC (peak)

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

25

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μ

 

I

IC (max)

 

 

 

 

Current

 

 

 

s

 

 

 

250

 

(Continuous)

 

PW

 

 

 

 

μ

 

0.1

 

 

 

=

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

DC

 

 

 

 

 

(T

 

 

Collector

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

C

 

 

 

Ta = 25°C, 1 Shot

=

 

 

 

25

 

 

 

Operation

 

0.01

°

 

 

 

 

 

C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.001

 

 

 

 

 

 

 

1

3

10

30

100

300

1,000

 

 

Collector to emitter Voltage

VCE (V)

2

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