HIT 2SC2898 Datasheet

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2SC2898

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High voltage, high speed and high power switching

Outline

TO-220AB

 

1.

Base

 

2.

Collector

1

 

(Flange)

3.

Emitter

2

3

 

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

500

V

Collector to emitter voltage

VCEO

400

V

Emitter to base voltage

VEBO

7

V

Collector current

IC

8

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

16

A

Base current

IB

4

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

50

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2898

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

 

Unit

Test conditions

Collector to emitter sustain

VCEO(sus)

400

V

I

C = 0.2 A, RBE = ,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L = 100 mH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter sustain

VCEX(sus)

400

V

I

C = 8 A, IB1 = 1.6 A,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB2 = –0.8 A, VBE = –5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L = 180 H, Clamped

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

7

V

I

E = 10 mA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

50

 

A

VCB = 400 V, IE = 0

 

ICEO

50

 

A

VCE = 350 V, RBE =

DC current transfer ratio

h

FE1

15

 

V

CE

= 5 V, I = 4 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

h

FE2

7

 

V

CE

= 5 V, I = 8 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)

1.0

V

I

C

= 4 A, I = 0.8 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)

1.5

V

 

 

 

 

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn on time

ton

0.8

 

s

IC = 8 A, IB1 = –IB2 = 1.6 A,

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC 150 V

Storage time

tstg

2.0

 

s

Fall time

tf

 

 

0.8

 

s

 

 

 

 

Note: 1. Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Collector Dissipation Curve

 

60

 

 

 

(W)

 

 

 

 

C

 

 

 

 

P

 

 

 

 

dissipation

40

 

 

 

 

 

 

 

Collector power

20

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

Area of Safe Operation

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(A)

 

 

IC(peak)

 

 

 

 

 

 

 

 

10

IC(max)(Continuous)

 

 

 

 

25

 

 

 

 

50 μ

 

C

 

 

 

 

 

 

250

μ

s

 

I

 

 

 

 

 

 

s

 

 

current

 

 

 

 

PW

1

μ

 

 

 

 

 

DC

 

ms

s

 

 

1.0

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

Operation

 

 

 

 

0.1 Ta = 25°C, 1 Shot

 

(T

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C)

 

 

 

0.01

1

3

10

30

 

100

 

300

1,000

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

2

HIT 2SC2898 Datasheet

2SC2898

Collector Current Derating Rate

 

100

 

 

 

 

 

(%)

80

 

IS/B

 

 

 

rate

 

 

 

 

 

 

Limit

 

 

derating

 

 

 

Area

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

current

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

 

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

Reverse Bias Area of Safe Operation

 

20

 

 

 

 

 

(A)

16

 

 

300 V, 16 A

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

current

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

400 V,

Collector

8

 

 

 

 

 

 

8 A

 

 

 

 

 

 

4

IB2 = –0.8 A

 

 

450 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 A

 

0

100

200

300

400

500

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

 

Transient Thermal Resistance

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

(°C/W)

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-c

1.0

 

 

 

–10

s

 

j

 

 

 

 

 

θ

 

 

10

ms

 

 

 

 

resistence

 

 

 

 

 

 

 

 

0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

0.1

 

μ

 

 

 

 

 

Thermal

 

10

 

 

 

 

 

 

0.03

 

 

 

 

 

 

TC = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

0.1

 

 

 

 

1.0

10 (s)

 

0.01

0.1

 

 

 

 

1.0

10 (ms)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to Emitter Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(V)

600

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(BR)CER

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = 1 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

emittertoCollector

400

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

1 k

 

 

 

 

10 k

 

 

 

100 k

 

 

 

1 M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter resistance RBE

(Ω)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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