HIT 2SC2816 Datasheet

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2SC2816

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High voltage, high speed and high power switching

Outline

TO-220AB

 

1.

Base

 

2.

Collector

1

 

(Flange)

3.

Emitter

2

3

 

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

500

V

Collector to emitter voltage

VCEO

400

V

Emitter to base voltage

VEBO

7

V

Collector current

IC

5

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

10

A

Base current

IB

2.5

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

40

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HIT 2SC2816 Datasheet

2SC2816

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

 

Test conditions

Collector to emitter sustain

VCEO(sus)

400

V

I

C = 0.2 A, RBE = , L = 100

voltage

 

 

 

 

 

 

 

mH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCEX(sus)

400

V

I

C = 5 A, IB1 = –IB2 = 1.0 A

 

 

 

 

 

 

 

 

VBE = –5.0 V, L = 180 µH,

 

 

 

 

 

 

 

 

Clamped

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

7

V

I

E = 10 mA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

50

µA

V

CB = 400 V, IE = 0

 

ICEO

50

µA

V

CE = 350 V, RBE =

DC current transfer ratio

h

15

 

V

CE

= 5.0 V, I

C

= 2.5 A*1

 

FE1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE2

7

 

V

CE = 5.0 V, IC = 5 A*1

Collector to emitter saturation

VCE(sat)

1.0

V

I

C = 2.5 A, IB = 0.5 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)

1.5

V

I

C = 2.5 A, IB = 0.5 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn on time

ton

0.5

µs

I

C = 5 A, IB1 = –IB2 = 1.0 A,

 

 

 

 

 

 

 

 

CC 150 V

 

 

Storage time

tstg

1.5

µs

V

 

 

Fall time

tf

0.3

0.5

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. Pulse test.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Collector Dissipation Curve

 

60

 

 

 

(W)

 

 

 

 

C

 

 

 

 

P

 

 

 

 

dissipation

40

 

 

 

 

 

 

 

Collector power

20

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

Area of Safe Operation

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(A)

10

 

iC(peak)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

(Continuous)

 

 

 

 

 

25

 

 

C(max)

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

50

μ

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

250

μ

 

current

 

 

 

 

 

PW

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

μ

 

 

 

 

 

 

DC

 

1

 

 

 

1.0

 

 

 

 

= ms

s

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Operation

ms

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1 Ta = 25°C, 1 Shot

(T

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C)

 

 

 

0.01

1

 

3

10

30

 

100

 

300

1,000

 

 

 

 

 

Collector to emitter voltage VCE (V)

2

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