HIT 2SC2612 Datasheet

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2SC2612

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High voltage, high speed and high power switching

Outline

TO-220AB

 

1.

Base

 

2.

Collector

1

 

(Flange)

3.

Emitter

2

3

 

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

500

V

Collector to emitter voltage

VCEO

400

V

Emitter to base voltage

VEBO

7

V

Collector current

IC

3

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

6

A

Base current

IB

1.5

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

30

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2612

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

 

Unit

Test conditions

Collector to emitter sustain

VCEO(sus)

400

V

I

C = 0.2 A, RBE = ,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

L = 100 mH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCEX(sus)

400

V

I

C = 3 A, IB1 = –IB2 = 0.6 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VBE = –5 V, L = 180 H,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Clamped

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

7

V

I

E = 10 mA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

100

 

A

VCB = 400 V, IE = 0

 

ICEO

100

 

A

VCE = 350 V, RBE =

DC current transfer ratio

h

FE1

15

 

V

CE

= 5 V, I = 1.5 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

h

FE2

7

 

V

CE

= 5 V, I = 3.0 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

C

Collector to emitter saturation

VCE(sat)

1.0

V

I

C = 1.5 A, IB = 0.3 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)

1.5

V

I

C = 1.5 A, IB = 0.3 A*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn on time

ton

1.0

 

s

IC = 3 A, IB1 = –IB2 = 0.6 A,

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC 150 V

Storage time

tstg

1.2

2.5

 

s

Fall time

tf

 

1.0

 

s

 

 

 

Note: 1. Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Collector Dissipation

Curve

 

45

 

 

 

(W)

 

 

 

 

C

 

 

 

 

P

 

 

 

 

dissipation

30

 

 

 

 

 

 

 

Collector power

15

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

Area of Safe Operation

 

10

iC(peak)

 

 

 

 

 

 

 

 

ICmax(Continuous)

 

 

 

 

25

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

 

(A)

 

 

 

 

 

250

μ

 

1.0

 

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

1 μ

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

PW

ms

s

 

I

 

 

 

DC

 

 

 

 

current

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

T

10

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

0.1

 

 

=

 

ms

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Operation°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

 

 

 

C

 

 

 

 

 

0.01

Ta = 25°C, 1 Shot

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.001

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

3

10

30

100

 

300

1,000

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

2

HIT 2SC2612 Datasheet

2SC2612

 

 

Collector Current Derating Rate

 

 

100

 

 

 

 

(°C/W)

(%)

80

 

 

 

 

rate

 

IS/B

 

 

-c

 

 

 

 

θ

 

 

 

 

 

 

j

deratingcurrentCollector

60

 

 

Limit

Area

resistanceThermal

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

0

50

 

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

 

 

 

Transient Thermal Resistance

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 ms

 

–10

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.03

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TC = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

0.1

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

10

(s)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

0.1

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

10

(ms)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Time

t

 

 

 

 

Reverse Bias Area of Safe Operation

 

 

10

 

(V)

 

 

 

(A)

8

 

CER

 

V

 

 

C

 

 

emittertoCollectorvoltage

Collectorcurrent I

6

350 V, 6 A

4

 

 

 

 

 

 

400 V, 3 A

 

 

2

 

 

 

IB2

= –0.6 A

 

 

 

450 V, 0.5 A

 

0

100

200

300

400

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage vs. Base to Emitter Resistance

600

IC = 1 mA

500

400

300

 

10 k

100 k

1 M

100

1 k

Base to emitter resistance RBE (Ω)

3

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