HIT 2SC1212, 2SC1212A Datasheet

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2SC1212, 2SC1212A

Silicon NPN Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Outline

TO-126 MOD

1.

Emitter

2.

Collector

3.

Base

1

2 3

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ratings

 

 

Item

Symbol

2SC1212

2SC1212A

Unit

 

 

 

 

 

Collector to base voltage

VCBO

50

80

V

Collector to emitter voltage

VCEO

50

80

V

Emitter to base voltage

VEBO

4

4

V

Collector current

IC

1

1

A

 

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC

0.75

0.75

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PC*1

8

8

W

 

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

–55 to +150

°C

Note: 1. Value at TC = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HIT 2SC1212, 2SC1212A Datasheet

2SC1212, 2SC1212A

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

2SC1212

 

2SC1212A

 

 

 

 

 

 

 

 

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

 

Unit

 

Test conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to base

V(BR)CBO

50

80

 

V

 

I

 

C = 1 mA, IE = 0

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter

V(BR)CEO

50

80

 

V

 

I

 

C = 10 mA, RBE =

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base

V(BR)EBO

4

4

 

V

 

I

 

E = 1 mA, IC = 0

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

5

5

 

 

A

 

VCB =

50 V, IE = 0

DC current tarnsfer ratio h *1

60

200

60

 

200

 

 

 

V

CE

=

4 V, I = 50 mA

 

FE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

hFE

20

20

 

 

 

V

 

CE = 4 V, IC = 1 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(pulse test)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter voltage

VBE

0.65

1.0

0.65

 

1.0

 

V

V

CE =

4 V, IC = 50 mA

Collector to emitter

VCE(sat)

0.75

1.5

0.75

 

1.5

 

V

I

C = 1 A, IB = 0.1 A

saturation voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(pulse test)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain bandwidth product

fT

160

160

 

MHz V

 

CE =

4 V, IC = 30 mA

Note: 1. The 2SC1212 and 2SC1212A are grouped by hFE as follows.

B

C

60 to 120

100 to 200

 

 

Collector power dissipation PC (W)

 

Maximum Collector Dissipation Curve

 

 

Maximum Collector Dissipation Curve

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(W)

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

0.75

 

 

 

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

dissipation

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

power

4

 

 

 

0.25

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

 

0

50

100

150

 

Ambient temperature Ta (°C)

 

 

 

Case temperature TC (°C)

 

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