HIT 2SB739, 2SB738 Datasheet

Loading...
HIT 2SB739, 2SB738 Datasheet

2SB738, 2SB739

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD787 and 2SD788

Outline

TO-92MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

3

2

1

2SB738, 2SB739

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

2SB738

2SB739

Unit

Collector to base voltage

VCBO

–20

–20

V

Collector to emitter voltage

VCEO

–16

–20

V

Emitter to base voltage

VEBO

–6

–6

V

Collector current

IC

–2

–2

A

 

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC

0.9

0.9

W

 

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

–55 to +150

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

 

 

 

2SB738

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB739

 

 

 

 

 

 

Item

 

Symbol Min

Typ

 

 

 

Max

 

Min Typ Max

Unit

 

Test conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to base

V(BR)CBO

–20

 

 

–20

V

I

 

C = –10 A, IE = 0

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter

V(BR)CEO

–16

 

 

–20

V

I

 

C = –1 mA, RBE =

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

–6

 

 

–6

V

I

 

E = –10 A, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

–2

–2

 

A

 

VCB = –16 V, IE = 0

Emitter cutoff current

IEBO

–0.2

–0.2

 

A

 

VEB = –6 V, IC = 0

DC current transfer ratio

h

FE

*1

100

320

 

100

320

 

 

V

CE

= –2 V, I = –0.1 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

Collector to emitter

VCE(sat)

–0.3

–0.3

V

I

 

C = –1 A, IB = –0.1 A

saturation voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain bandwidth product

fT

 

150

 

 

 

150

MHz V

 

CE = –2 V, IC = –10 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector output capacitance Cob

50

 

 

 

 

50

pF

V

 

CB = –10 V, IE = 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

Note: 1. The 2SB738 and 2SB739 are grouped by hFE as follows.

 

 

 

 

 

B

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100 to 200

160 to 320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

+ 4 hidden pages