HIT 2SB647A, 2SB647 Datasheet

Loading...
HIT 2SB647A, 2SB647 Datasheet

2SB647, 2SB647A

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD667/A

Outline

TO-92MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

3

2

1

2SB647, 2SB647A

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

2SB647

2SB647A

Unit

Collector to base voltage

VCBO

–120

–120

V

Collector to emitter voltage

VCEO

–80

–100

V

Emitter to base voltage

VEBO

–5

–5

V

Collector current

IC

–1

–1

A

 

 

 

 

 

Collector peak current

iC(peak)

–2

–2

A

Collector power dissipation

PC

0.9

0.9

W

 

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

–55 to +150

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

 

2SB647

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB647A

 

 

 

Item

 

Symbol Min

Typ

 

 

 

Max

 

 

Min Typ Max

Unit

Test conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to base

V(BR)CBO

–120 —

 

 

–120 —

V

I

C = –10 A, IE = 0

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter

V(BR)CEO

–80

 

 

–100

V

I

C = –1 mA, RBE =

breakdown voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

–5

 

 

–5

V

I

E = –10 A, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

–10

–10

 

A

VCB = –100 V, IE = 0

DC current transfer ratio

hFE1*1

60

320

 

60

 

 

 

200

 

 

V CE = –5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = –150 mA*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE2

30

 

 

30

 

 

 

 

 

V

CE = –5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = –500 mA*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter

VCE(sat)

–1

–1

V

I

C = –500 mA,

saturation voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = –50 mA*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter voltage

VBE

–1.5

–1.5

V

V

CE = –5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = –150 mA*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain bandwidth product

fT

140

 

 

 

140

MHz V

CE = –5 V, IC = –150 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector output capacitance Cob

20

 

 

 

 

20

pF

V

CB = –10 V, IE = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

Notes: 1. The 2SB647 and 2SB647A are grouped by hFE1 as follows.

 

 

 

2.

Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

C

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB647

60 to 120

100 to 200

160 to 320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB647A

60 to 120

100 to 200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

+ 4 hidden pages