HIT 2SB1407(S) Datasheet

Loading...
HIT 2SB1407(S) Datasheet

2SB1407(L)/(S)

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S)

Outline

DPAK

4

4

 

 

 

1

 

 

 

2 3

 

1.

Base

 

 

2.

Collector

S Type

12 3

3.

Emitter

4. Collector

L Type

2SB1407(L)/(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

–35

V

Collector to emitter voltage

VCEO

–35

V

Emitter to base voltage

VEBO

–5

V

Collector current

IC

–2.5

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

–3

A

Collector power dissipation

PC*1

18

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

 

 

Symbol

Min

 

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

 

Unit

 

Test conditions

 

Collector to base breakdown

 

V(BR)CBO

–35

 

 

 

 

 

 

V

I

C = –1 mA, IE = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter breakdown

V(BR)CEO

–35

 

 

 

 

 

 

V

I

C = –10 mA, RBE =

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

 

V(BR)EBO

–5

 

 

 

 

 

 

V

I

E = –1 mA, IC = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

 

ICBO

 

 

 

–20

 

A

 

VCB = –35 V, IE = 0

 

DC current transfer ratio

 

h *1

60

 

 

 

 

 

 

 

320

 

 

V

CE

= –2 V, I = –0.5 A*2

 

 

 

 

 

FE1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

h

FE2

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

CE

= –2 V, I = –1.5 A*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

Base to emitter voltage

 

V

BE

 

 

 

–1.5

V

V

CE

= –2 V, I = –1.5 A*2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)

 

 

 

–1.0

V

I

C

= –2 A, I = –0.2 A*2

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes: 1. The 2SB1407(L)/(S) is grouped by hFE1 as follows.

 

 

 

 

 

 

 

 

B

C

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60 to 120

100 to 200

160 to 320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Pulse test.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

+ 4 hidden pages