HIT 2SB1079 Datasheet

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HIT 2SB1079 Datasheet

2SB1079

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1559

Outline

TO-3P

 

 

 

2

 

 

1

 

1.

Base

 

 

2.

Collector

 

 

 

(Flange)

1 kΩ

400 Ω

3.

Emitter

1

 

(Typ)

(Typ)

 

 

3

2

 

 

 

3

 

 

 

2SB1079

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

–100

V

Collector to emitter voltage

VCEO

–100

V

Emitter to base voltage

VEBO

–7

V

Collector current

IC

–20

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

–30

A

Base current

IB

–3

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

100

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. Value at TC = 25°C.

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

Unit

 

Test conditions

 

Collector to base breakdown

V(BR)CBO

–100

 

 

 

 

 

V

I

C = –0.1 mA, IE = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter breakdown

V(BRCEO

–100

 

 

 

 

 

V

I

C = –25 mA, RBE =

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter sustain

VCEO(sus)

–100

 

 

 

 

 

V

I

C = –200 mA, RBE = *1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

–7

 

 

 

 

 

V

I

E = –50 mA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

 

 

–100

A

 

VCB = –100 V, IE = 0

 

ICEO

 

 

–1.0

mA

V

CE = –80 V, RBE =

 

DC current transfer ratio

h

 

1000

 

 

 

 

20000

 

V

CE

= –3 V, I

= –10 A*1

 

FE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)1

 

 

–2.0

V

I

C

= –10 A, I

= –20 mA*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)1

 

 

–2.5

V

 

 

 

 

 

 

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)2

 

 

–3.0

V

I

C

= –20 A, I

= –200 mA*1

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

VBE(sat)2

 

 

–3.5

V

 

 

 

 

 

 

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn on time

ton

0.6

 

 

 

 

s

 

IC = –10 A, IB1 = –IB2 = –20 mA

Storage time

tstg

3.5

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. Pulse Test.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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