HIT 2SB1001 Datasheet

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HIT 2SB1001 Datasheet

2SB1001

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD1367

Outline

UPAK

1

2

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

1.

Base

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

Emitter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Collector (Flange)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB1001

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

–20

V

Collector to emitter voltage

VCEO

–16

V

Emitter to base voltage

VEBO

–6

V

Collector current

IC

–2

A

 

 

 

 

Collector peak current

iC(peak) *1

–3

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*2

1

W

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Notes: 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 × 20 × 0.7 mm)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

 

 

Symbol

Min

 

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

 

V(BR)CBO

–20

 

 

 

 

 

 

 

V

I

C = –10 µA, IE = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter breakdown

V(BR)CEO

–16

 

 

 

 

 

 

 

V

I

C = –1 mA, RBE = ∞

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

 

V(BR)EBO

–6

 

 

 

 

 

 

 

V

I

E = –10 µA, IC = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

 

ICBO

 

 

 

 

–0.1

µA

VCB = –16 V, IE = 0

Emitter cutoff current

 

IEBO

 

 

 

 

–0.1

µA

VEB = –5 V, IC = 0

DC current transfer ratio

 

h *1

100

 

 

 

 

 

 

320

 

V

CE

= –2 V,

 

 

 

FE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = –0.1 A (Pulse test)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter saturation

VCE(sat)

 

 

–0.15

 

 

 

 

–0.3

V

I C = –1 A,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = –0.1 A (Pulse test)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

 

VBE(sat)

 

 

–1.0

 

 

 

 

–1.2

V

I C = –1 A,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = –0.1 A (Pulse test)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain bandwidth product

 

fT

150

 

 

 

 

MHz

V

CE = –2 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC = –10 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector output capacitance

 

Cob

50

 

 

 

 

 

pF

V

CB = –10 V, IE = 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. The 2SB1001 is grouped by hFE as follows.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Mark

BH

BJ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE

100 to 200

160 to 320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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