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GS72116ATP/J/T/U |
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SOJ, TSOP, FP-BGA, TQFP |
128K x 16 |
7, 8, 10, 12 ns |
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Commercial Temp |
2Mb Asynchronous SRAM |
3.3 V VDD |
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Industrial Temp |
Center VDD and VSS |
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Features
•Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns
•CMOS low power operation: 145/125/100/85 mA at minimum cycle time
•Single 3.3 V power supply
•All inputs and outputs are TTL-compatible
•Byte control
•Fully static operation
•Industrial Temperature Option: –40° to 85°C
•Package line up
J:400 mil, 44-pin SOJ package
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package
T:10 mm x 10 mm, 44-pin TQFP
U:6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array package
Description
The GS72116A is a high speed CMOS Static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes. The GS operates on a single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTLcompatible. The GS72116A is available in a 6 mm x 8 mm Fine Pitch BGA package, a 10 mm x 10 mm TQFP package, as well as in 400 mil SOJ and 400 mil TSOP Type-II packages.
SOJ 128K x 16-Pin Configuration
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A4 |
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1 |
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44 |
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A5 |
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A3 |
2 |
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43 |
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A6 |
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A2 |
3 |
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42 |
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A1 |
4 |
Top view |
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OE |
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A0 |
5 |
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UB |
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CE |
6 |
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LB |
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DQ1 |
7 |
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DQ16 |
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DQ2 |
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DQ15 |
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DQ3 |
9 |
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DQ14 |
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DQ4 |
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44-pin |
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DQ13 |
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VDD |
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34 |
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VSS |
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VSS |
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SOJ |
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VDD |
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32 |
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DQ5 |
13 |
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DQ12 |
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DQ6 |
14 |
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31 |
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DQ11 |
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DQ7 |
15 |
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30 |
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DQ10 |
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DQ8 |
16 |
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29 |
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DQ9 |
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17 |
|
28 |
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NC |
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WE |
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A15 |
18 |
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27 |
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A8 |
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A14 |
19 |
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26 |
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A9 |
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A13 |
20 |
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A10 |
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A12 |
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NC |
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Package J
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Pin Descriptions |
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Symbol |
Description |
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A0–A16 |
Address input |
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DQ1–DQ16 |
Data input/output |
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Chip enable input |
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CE |
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Lower byte enable input |
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LB |
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(DQ1 to DQ8) |
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Upper byte enable input |
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UB |
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(DQ9 to DQ16) |
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Write enable input |
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WE |
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Output enable input |
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OE |
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VDD |
+3.3 V power supply |
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VSS |
Ground |
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NC |
No connect |
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Rev: 1.04a 10/2002 |
1/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS72116ATP/J/T/U
44-Pin TQFP 128K x 16-Pin Configuration
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A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 |
OE |
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UB |
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LB |
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43 |
42 |
41 |
40 |
39 |
38 |
37 |
36 |
35 |
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34 |
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DQ16 |
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CE |
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1 |
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33 |
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DQ1 |
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2 |
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DQ15 |
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DQ2 |
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3 |
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31 |
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DQ14 |
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DQ3 |
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4 |
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30 |
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DQ13 |
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DQ4 |
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5 |
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29 |
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VSS |
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VDD |
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6 |
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28 |
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VDD |
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VSS |
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7 |
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27 |
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DQ12 |
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DQ5 |
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8 |
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26 |
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DQ11 |
||||||
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DQ6 |
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9 |
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25 |
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DQ10 |
||||||
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DQ7 |
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10 |
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24 |
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DQ9 |
|||||||
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DQ8 |
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11 |
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13 |
14 |
15 |
16 |
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18 |
19 |
20 |
21 |
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23 |
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NC |
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12 |
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22 |
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WE |
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Fine Pitch BGA 128K x 16-Bump Configuration |
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1 |
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2 |
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3 |
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4 |
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5 |
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6 |
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A0 |
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LB |
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B |
DQ16 |
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A3 |
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UB |
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CE |
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C |
DQ14 |
DQ15 |
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DQ2 |
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DQ3 |
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D |
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VSS |
DQ13 |
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NC |
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DQ4 |
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VDD |
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E |
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VDD |
DQ12 |
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NC |
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A16 |
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DQ5 |
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VSS |
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F |
DQ11 |
DQ10 |
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A8 |
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A9 |
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DQ7 |
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DQ6 |
|
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G |
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DQ9 |
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NC |
A10 |
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A11 |
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DQ8 |
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WE |
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H |
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NC |
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A12 |
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6 mm x 8 mm, 0.75 mm Bump Pitch Top View
Package U
Rev: 1.04a 10/2002 |
2/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS72116ATP/J/T/U
TSOP-II 128K x 16-Pin Configuration
|
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A4 |
1 |
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44 |
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A5 |
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A3 |
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43 |
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A6 |
||||
|
|
A2 |
3 |
|
42 |
|
A7 |
||||
|
|
A1 |
4 |
Top view |
41 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OE |
||||||||
|
|
A0 |
5 |
|
40 |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
UB |
|||||||
|
|
|
|
6 |
|
39 |
|
|
|
||
CE |
|
LB |
|||||||||
DQ1 |
7 |
|
38 |
|
DQ16 |
||||||
DQ2 |
8 |
|
37 |
|
DQ15 |
||||||
DQ3 |
9 |
|
36 |
|
DQ14 |
||||||
DQ4 |
10 |
44-pin |
35 |
|
DQ13 |
||||||
VDD |
11 |
34 |
|
||||||||
|
VSS |
||||||||||
|
33 |
|
|||||||||
VSS |
12 |
TSOP II |
|
V |
|||||||
13 |
32 |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
DD |
|||
DQ5 |
14 |
|
31 |
|
DQ12 |
||||||
DQ6 |
|
|
DQ11 |
||||||||
15 |
|
30 |
|
||||||||
DQ7 |
|
|
DQ10 |
||||||||
16 |
|
29 |
|
||||||||
DQ8 |
|
|
DQ9 |
||||||||
|
|
|
17 |
|
28 |
|
NC |
||||
|
WE |
|
|||||||||
A15 |
18 |
|
27 |
|
A8 |
||||||
A14 |
19 |
|
26 |
|
A9 |
||||||
A13 |
20 |
|
25 |
|
A10 |
||||||
A12 |
21 |
|
24 |
|
A11 |
||||||
A16 |
22 |
|
23 |
|
NC |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Package TP
Block Diagram
A0 |
|
|
|
Row |
|
|
Memory Array |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
Address |
|
Decoder |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input |
|
|
|
|
|
|
|
|
Buffer |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Column |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
A16 |
|
|
|
|
|
|
Decoder |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CE
WE Control I/O Buffer
OE
UB _____
LB _____
DQ1 DQ16
Rev: 1.04a 10/2002 |
3/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GS72116ATP/J/T/U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
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|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Truth Table |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
CE |
|
|
|
OE |
|
|
WE |
|
|
|
LB |
|
|
UB |
|
|
DQ1 to DQ8 |
DQ9 to DQ16 |
|
VDD Current |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
H |
|
|
|
X |
|
|
|
|
X |
|
|
X |
|
|
|
X |
|
|
|
Not Selected |
Not Selected |
|
ISB1, ISB2 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
|
Read |
Read |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
|
|
H |
|
|
L |
|
|
|
H |
|
|
|
Read |
High Z |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
H |
|
|
|
L |
|
|
|
High Z |
Read |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
|
Write |
Write |
|
IDD |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
|
X |
|
|
|
|
L |
|
|
L |
|
|
|
H |
|
|
|
Write |
Not Write, High Z |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
H |
|
|
|
L |
|
|
Not Write, High Z |
Write |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
L |
|
|
|
H |
|
|
|
|
H |
|
|
X |
|
|
|
X |
|
|
|
High Z |
High Z |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
L |
|
|
|
X |
|
|
|
|
X |
|
|
H |
|
|
|
H |
|
|
|
High Z |
High Z |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Note: X: “H” or “L” |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
Absolute Maximum Ratings |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
Parameter |
|
|
|
|
|
|
|
|
Symbol |
|
|
|
Rating |
Unit |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
Supply Voltage |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VDD |
|
|
–0.5 to +4.6 |
V |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
Input Voltage |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VIN |
|
|
–0.5 to VDD +0.5 |
V |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(≤ |
4.6 V max.) |
|
|
|
|
|
|
|
|
Output Voltage |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VOUT |
|
|
–0.5 to VDD +0.5 |
V |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(≤ |
4.6 V max.) |
|
|
|
|
|
|
Allowable power dissipation |
|
|
|
PD |
|
|
|
0.7 |
W |
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
Storage temperature |
|
|
|
TSTG |
|
|
|
–55 to 150 |
oC |
|
|
|
Note:
Permanent device damage may occur if Absolute Maximum Ratings are exceeded. Functional operation shall be restricted to Recommended Operating Conditions. Exposure to higher than recommended voltages for extended periods of time could affect device reliability.
Rev: 1.04a 10/2002 |
4/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS72116ATP/J/T/U
Recommended Operating Conditions
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Supply Voltage for -7/-8/-10/12 |
VDD |
3.0 |
3.3 |
3.6 |
V |
|
Input High Voltage |
VIH |
2.0 |
— |
VDD +0.3 |
V |
|
Input Low Voltage |
VIL |
–0.3 |
— |
0.8 |
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ambient Temperature, |
TAc |
0 |
— |
70 |
oC |
|
Commercial Range |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Ambient Temperature, |
TAI |
–40 |
— |
85 |
oC |
|
Industrial Range |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Note:
1.Input overshoot voltage should be less than VDD +2 V and not exceed 20 ns.
2.Input undershoot voltage should be greater than –2 V and not exceed 20 ns.
Capacitance
Parameter |
Symbol |
Test Condition |
Max |
Unit |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input Capacitance |
CIN |
VIN = 0 V |
5 |
pF |
|
|
|
|
|
Output Capacitance |
COUT |
VOUT = 0 V |
7 |
pF |
|
|
|
|
|
Notes:
1.Tested at TA = 25°C, f = 1 MHz
2.These parameters are sampled and are not 100% tested.
DC I/O Pin Characteristics
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Max |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input Leakage |
IIL |
VIN = 0 to VDD |
– 1 uA |
1 uA |
|
Current |
|||||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Output Leakage |
ILO |
Output High Z |
–1 uA |
1 uA |
|
Current |
VOUT = 0 to VDD |
||||
|
|
|
|||
Output High Voltage |
VOH |
IOH = –4mA |
2.4 |
— |
|
|
|
|
|
|
|
Output Low Voltage |
VOL |
ILO = +4mA |
— |
0.4 V |
|
|
|
|
|
|
Rev: 1.04a 10/2002 |
5/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS72116ATP/J/T/U
Power Supply Currents
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
|
0 to 70°C |
|
|
|
–40 to 85°C |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
7 ns |
8 ns |
10 ns |
12 ns |
|
7 ns |
8 ns |
10 ns |
12 ns |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≤ VIL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Operating |
|
|
All other inputs |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Supply |
IDD (max) |
|
≥ VIH or ≤ VIL |
145 mA |
125 mA |
100 mA |
85 mA |
|
150 mA |
130 mA |
105 mA |
90 mA |
|
||||
Current |
|
|
Min. cycle time |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
IOUT = 0 mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≥ VIH |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Standby |
ISB1 |
|
|
|
CE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
All other inputs |
25 mA |
20 mA |
20 mA |
15 mA |
|
30 mA |
25 mA |
25 mA |
20 mA |
|
||||||
Current |
(max) |
|
≥ VIH or ≤ VIL |
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
Min. cycle time |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
≥ VDD – 0.2 V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
CE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Standby |
ISB2 |
|
All other inputs |
|
5 mA |
|
|
|
10 mA |
|
|
||||||
Current |
(max) |
|
≥ VDD – 0.2 V or |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
≤ 0.2 V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AC Test Conditions
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Output Load 1 |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
Parameter |
Conditions |
DQ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input high level |
VIH = 2.4 V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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30pF1 |
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50Ω |
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Input low level |
VIL = 0.4 V |
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Input rise time |
tr = 1 V/ns |
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VT = 1.4 V |
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Input fall time |
tf = 1 V/ns |
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Input reference level |
1.4 V |
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Output Load 2 |
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Output reference level |
1.4 V |
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3.3 V |
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Output load |
Fig. 1& 2 |
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DQ |
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589Ω |
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Note: |
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5pF1 |
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434Ω |
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1. Include scope and jig capacitance. |
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2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 |
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unless otherwise noted. |
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3.Output load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ
Rev: 1.04a 10/2002 |
6/18 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.