Fairchild Semiconductor H11AA4, H11AA3, H11AA2, H11AA1 Datasheet

0 (0)

AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR

OPTOCOUPLERS

 

 

 

 

H11AA1

H11AA3

H11AA2

H11AA4

 

 

 

 

 

 

 

 

DESCRIPTION

The H11AAX series consists of two gallium-arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel driving a single silicon phototransistor output.

FEATURES

Bi-polar emitter input

Built-in reverse polarity input protection

• Underwriters Laboratory (UL) recognized File #E90700

• VDE approved File #E94766 (ordering option ‘300’)

APPLICATIONS

AC line monitor

Unknown polarity DC sensor

Telephone line interface

6

6

 

 

 

 

 

 

1

SCHEMATIC

 

 

 

 

 

1

 

 

 

1

6

BASE

6

2

5

COLL

 

 

1

 

 

 

3

4

EMITTER

 

Parameter

Symbol

Device

Value

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TOTAL DEVICE

TSTG

All

-55 to +150

°C

 

 

Storage Temperature

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Operating Temperature

TOPR

All

-55 to +100

°C

 

 

Lead Solder Temperature

TSOL

All

260 for 10 sec

°C

 

 

Total Device Power Dissipation

PD

All

350

mW

 

 

 

 

 

 

 

Derate Linearly From 25°C

4.6

mW/°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EMITTER

IF

All

100

mA

 

 

Continuous Forward Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward Current - Peak (1 µs pulse, 300 pps)

IF(pk)

All

±1.0

A

 

 

LED Power Dissipation

PD

All

200

mW

 

 

Derate Linearly From 25°C

2.6

mW/°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DETECTOR

 

 

 

 

 

 

Detector Power Dissipation

PD

All

300

mW

 

 

Derate above 25°C

4.0

mW/°C

 

 

 

 

 

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

 

 

DS300212

12/12/01

1 OF 7

www.fairchildsemi.com

AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR

OPTOCOUPLERS

 

 

 

 

H11AA1

H11AA3

H11AA2

H11AA4

 

 

 

 

 

 

 

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C Unless otherwise specified.)

INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS

 

Parameter

Test Conditions

 

Symbol

 

Device

 

Min

Typ

Max

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EMITTER

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input Forward Voltage

IF = ±10 mA

 

 

VF

 

 

All

 

 

 

 

 

1.2

 

1.5

 

V

 

Capacitance

VF = 0 V, f = 1.0 MHz

 

 

CJ

 

 

All

 

 

 

 

 

80

 

 

 

pF

 

DETECTOR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter

IC = 1.0 mA, IF = 0

 

BVCEO

 

 

All

 

 

 

30

 

 

 

 

 

V

 

Collector to Base

IC = 100 µ A, IF = 0

 

BVCBO

 

 

All

 

 

 

70

 

 

 

 

 

V

 

Emitter to Base

IE = 100 µ A, IF = 0

 

BVEBO

 

 

All

 

 

 

5

 

 

 

 

 

V

 

Emitter to Collector

IE = 100 µ A, IF = 0

 

BVECO

 

 

All

 

 

 

7

 

 

 

 

 

V

 

Leakage Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter

VCE = 10 V, IF = 0

 

ICEO

H11AA1,3,4

 

 

 

 

 

50

 

nA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H11AA2

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter

VCE = 0, f = 1 MHz

 

CCE

 

 

All

 

 

 

 

 

10

 

 

 

pF

 

Collector to Base

VCE = 0, f = 1 MHz

 

CCB

 

 

All

 

 

 

 

 

80

 

 

 

pF

 

Emitter to Base

VCE = 0, f = 1 MHz

 

CEB

 

 

All

 

 

 

 

 

15

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TRANSFER CHARACTERISTICS (TA = 25°C Unless otherwise specified.)

 

 

 

 

 

 

 

 

Characteristics

 

Test Conditions

 

Symbol

 

Device

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H11AA4

 

100

 

 

 

 

 

 

 

Current Transfer Ratio,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IF = ±10 mA, VCE = 10 V

 

CTRCE

 

H11AA3

 

 

50

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter

 

 

 

H11AA1

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H11AA2

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current Transfer Ratio, Symmetry

 

IF = ±10 mA, VCE = 10 V (Figure.8)

 

 

 

 

 

 

All

 

 

 

.33

 

 

 

3.0

 

%

 

Saturation Voltage

 

IF = ±10 mA, ICE = 0.5 mA

 

VCE(SAT)

 

 

 

All

 

 

 

 

 

 

 

.40

 

V

 

Collector to Emitter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ISOLATION CHARACTERISTICS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Characteristic

 

 

 

Test Conditions

 

Symbol

 

Min

Typ

Max

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Package Capacitance input/output

 

 

VI-O = 0, f = 1 MHz

CI-O

 

 

 

0.7

 

 

 

pF

 

Isolation Voltage

 

 

f = 60 Hz, t = 1 min.

VISO

 

5300

 

 

 

 

 

V

 

Isolation Resistance

 

 

 

V

= 500 VDC

 

R

ISO

 

1011

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I-O

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

www.fairchildsemi.com

2 OF 7

12/12/01

DS300212

Fairchild Semiconductor H11AA4, H11AA3, H11AA2, H11AA1 Datasheet

AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR

OPTOCOUPLERS

 

 

 

 

H11AA1

H11AA3

H11AA2

H11AA4

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT (mA)

- INPUT

F I

Fig. 1 Input Voltage vs. Input Current

100

80

60

40

20

0

-20

-40

-60

-80

 

 

 

 

 

 

 

 

-100

 

 

 

 

 

 

 

 

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

MALIZER CD RT

ON

Fig. 2 Normalized CTR vs. Forward Current

1.4

VCE = 5.0V

Normalized to

TA = 25˚C

IF = 10 mA

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0

5

10

15

20

V - INPUT VOLTAGE (V)

IF - FORWARD CURRENT (mA)

F

 

Fig. 3 Normalized CTR vs. Ambient Temperature

Fig. 4 CTR vs. RBE (Unsaturated)

 

1.6

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RBE(OPEN)

0.9

 

1.4

 

 

 

 

IF = 5 mA

 

 

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RTC

 

 

 

 

 

 

 

 

CTR

0.7

1.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IF = 10 mA

 

 

RBE

0.6

 

 

 

 

 

 

 

DMALIZE RON

1.0

 

 

 

 

 

 

 

NORMALIZED CTR ( CTR

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

0.8

 

 

 

 

 

 

 

0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.2

0.6

Normalized to

IF = 20 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IF = 10 mA

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

TA = 25˚ C

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0

 

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

 

 

 

 

TA - AMBIENT TEMPERATURE (˚ C)

 

 

 

 

 

VCE= 5.0 V

 

 

IF = 20 mA

 

 

IF = 10 mA

 

 

IF = 5 mA

10

100

1000

RBE- BASE RESISTANCE (kΩ)

Fig. 5 CTR vs. RBE (Saturated)

Fig. 6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current

 

1.0

 

 

 

(V)

100

 

 

 

)

 

 

 

VOLTAGE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RBE(OPEN)

0.9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE= 0.3 V

 

 

 

 

 

0.8

 

 

 

10

 

 

 

 

IF = 20 mA

 

 

 

 

 

/ CTR

 

 

 

- COLLECTOR-EMITTERSATURATION

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RBE

0.6

IF = 10 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

NORMALIZED CTR ( CTR

 

 

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IF = 2.5 mA

 

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

IF = 5 mA

 

 

0.1

 

 

 

0.3

 

 

 

 

 

 

0.2

 

 

 

 

 

 

IF = 20 mA

 

 

 

 

 

 

IF = 10 mA

 

 

 

 

0.01

 

 

0.1

 

 

 

IF = 5 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0

100

 

1000

 

 

 

 

 

10

 

(SAT)

TA = 25˚ C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RBE- BASE RESISTANCE (k Ω)

 

 

0.001

0.1

1

10

 

 

 

 

CE

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

IC - COLLECTOR CURRENT (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DS300212

12/12/01

3 OF 7

www.fairchildsemi.com

Loading...
+ 4 hidden pages