Fairchild Semiconductor DF10S, DF04S, DF06S, DF08S, DF02S Datasheet

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Fairchild Semiconductor DF10S, DF04S, DF06S, DF08S, DF02S Datasheet

Discrete POWER & Signal

Technologies

DF005S - DF10S

Features

Surge overload rating: 50 amperes peak.

Glass passivated junction.

SDIP

Low leakage.

LOW PROFILE ALSO AVAILABLE

BODY - - 0.102 (2.591)*

0.095 (2.413)*

1.5 Ampere Bridge Rectifiers

 

 

 

 

 

 

0.255 (6.477)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.245 (6.223)

 

 

 

 

 

 

0.042 (1.067)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.038 (0.965)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.205 (5.207)

 

 

 

 

 

0.335 (8.509)

0.195 (4.953)

 

 

 

 

0.320 (8.128)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Dimensions are in:

inches (mm) 0.310 (7.874) 0.290 (7.366)

0.009 (0.229)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.135 (3.429)*

 

 

 

 

 

 

 

Typical

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.115 (2.921)*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.060 (1.524)

0.008 (0.203) 0.040 (1.016)

0.004 (0.102)

0.410 (10.414)

0.360 ( 9.144)

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

Value

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IO

 

Average Rectified Current

 

 

 

 

 

 

 

1.5

A

 

 

 

 

 

@ TA = 40°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

if(surge)

 

Peak Forward Surge Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.3 ms single half-sine-wave

 

 

 

 

 

50

A

 

 

 

 

 

Superimposed on rated load (JEDEC method)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PD

 

Total Device Dissipation

 

 

 

 

 

 

 

3.1

W

 

 

 

 

 

Derate above 25°C

 

 

 

 

 

 

25

mW/°C

 

 

RθJA

 

Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg

 

 

 

40

°C/W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

 

 

 

 

 

-55 to +150

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ

 

Operating Junction Temperature

 

 

 

 

 

-55 to +150

°C

 

 

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

 

 

 

 

 

 

 

**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

Device

 

 

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

005S

01S

02S

 

04S

 

06S

 

08S

10S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Peak Repetitive Reverse Voltage

 

50

100

200

 

400

 

600

 

800

1000

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum RMS Bridge Input Voltage

 

35

70

140

 

280

 

420

 

560

700

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Reverse Voltage

(Rated VR)

 

50

100

200

 

400

 

600

 

800

1000

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Reverse Leakage,

 

 

 

 

 

5.0

 

 

 

 

 

 

μ

 

 

 

°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

total bridge @ rated VR TA = 25 C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

°

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

μA

 

 

 

TA = 125 C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Forward Voltage Drop,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

per bridge

 

 

@ 1.0 A

 

 

 

 

 

1.1

 

 

 

 

 

 

V

I2t rating for fusing

t < 8.35 ms

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

A2Sec

Typical Junction Capacitance, per leg

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

pF

VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DF10S - DF005S

ã1998 Fairchild Semiconductor Corporation

DF005S-DF10S, Rev. A

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